低熔点合金衬底上CVD法生长石墨烯

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (12): 2589-2594.

低熔点合金衬底上CVD法生长石墨烯

孙雷;沈鸿烈;李金泽;吴天如;丁古巧;朱云;谢晓明

南京航空航天大学材料科学与技术学院,南京,211100;中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海200050

发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(61176062);江苏优势学科建设工程项目;信息功能材料国家重点实验室开放课题

Growth of Graphene on Low Melting Point Alloy Substrates by Chemical Vapor Deposition

SUN Lei;SHEN Hong-lie;LI Jin-ze;WU Tian-ru;DING Gu-qiao;ZHU Yun;XIE Xiao-ming

Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 以CH4为气态碳源,不同组分的In基合金为衬底,用CVD法进行石墨烯生长的研究结果.用光学显微镜,拉曼光谱,场发射扫描电镜对生长的薄层进行了表征.结果显示在熔融态金属Cu-In合金上成功制备了石墨烯薄膜,“表面催化”型金属Cu的加入In使金属表面形核点增多,合金表面石墨烯的生长速度提高,但石墨烯质量下降;“溶解析出”型金属Ni与低熔点金属In组成的合金催化性能有明显的增强,在极短的时间内堆积成石墨“块”;金属Sn不具备明显的催化生长石墨烯的能力,导致了Sn-In合金衬底上石墨烯的生长与纯In类似,Sn的影响作用较弱.

中图分类号:

TQ127.1

孙雷;沈鸿烈;李金泽;吴天如;丁古巧;朱云;谢晓明. 低熔点合金衬底上CVD法生长石墨烯[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(12): 2589-2594.

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