SiC/SiC复合材料的原位合成与表征

人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (1): 143-147.

SiC/SiC复合材料的原位合成与表征

焦宇鸿;王芬;朱建锋

陕西科技大学材料科学与工程学院,西安7 10021

出版日期:2014-01-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(51171096);陕西科技大学研究生创新基金

Synthesis and Characterization of SiC/SiC Composite via In-situ Method

JIAO Yu-hong;WANG Fen;ZHU Jian-feng

Online:2014-01-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用常压烧结原位反应合成的方法制备了SiC/SiC复合材料,碳和硅是以滤纸和酚醛树脂为C源,采取滤纸表面涂覆Si粉树脂悬浮液的方法引入.采用XRD,SEM以及EDAX分别分析了材料的组成和微观机构,并重点分析了复合材料中SiC纳米线的生成与生长机理.结果表明,在温度为1430℃时,制备的SiC纳米线表面光滑,尺寸均一,长径比大于103,其生长机制为VS机制,由此开发了一种一步法制备SiC/SiC复合材料的新方法.

中图分类号:

TB321

焦宇鸿;王芬;朱建锋. SiC/SiC复合材料的原位合成与表征[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(1): 143-147.

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