LEC法生长富磷掺铁InP单晶晶格应变与残留应力研究

人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (4): 743-747.

LEC法生长富磷掺铁InP单晶晶格应变与残留应力研究

陈爱华;杨瑞霞;杨帆;刘志国;孙聂枫

河北工业大学信息工程学院,天津,300401;中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路国家重点实验室,石家庄,050051

出版日期:2014-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(61076004);高等学校博士学科点专项科研基金(20101317110001)

Investigation on Lattice Strain and Residual Stress in P-rich Fe Doped InP Crystal Grown by LEC Method

CHEN Ai-hua;YANG Rui-xia;YANG Fan;LIU Zhi-guo;SUN Nie-feng

Online:2014-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 运用原位磷注入合成法在高压单晶炉内合成富磷的InP熔体,并利用液封直拉法(LEC)生长出了3英寸富磷掺Fe的InP单晶.运用高分辨率X射线衍射技术、偏振差分透射谱测试技术、光致荧光谱技术对富磷掺Fe的InP晶片进行了结构、应力及发光特性测试.结果表明,晶格的应变导致了PL发光峰峰位的变化,晶格应变与残留应力测试结果相一致,说明材料生长过程中的热应力是导致样品晶格常数分布不均匀的主要因素.

中图分类号:

TN304.2

陈爱华;杨瑞霞;杨帆;刘志国;孙聂枫. LEC法生长富磷掺铁InP单晶晶格应变与残留应力研究[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(4): 743-747.

CHEN Ai-hua;YANG Rui-xia;YANG Fan;LIU Zhi-guo;SUN Nie-feng. Investigation on Lattice Strain and Residual Stress in P-rich Fe Doped InP Crystal Grown by LEC Method[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2014, 43(4): 743-747.

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