热屏位置对直拉硅单晶V/G、点缺陷和热应力影响的模拟

人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (4): 771-777.

热屏位置对直拉硅单晶V/G、点缺陷和热应力影响的模拟

张向宇;关小军;潘忠奔;张怀金;曾庆凯;王进

山东大学材料科学与工程学院,济南250061;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东大学材料科学与工程学院,济南,250061

出版日期:2014-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
山东大学晶体材料国家重点实验室开放课题(KF1303)

Simulation on Effect of Heat Shield Position on the V/G and Point Defect and Thermal Stress of Gzochralski Silicon

ZHANG Xiang-yu;GUAN Xiao-jun;PAN Zhong-ben;ZHANG Huai-jin;ZENG Qing-kai;WANG Jin

Online:2014-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 为了研究热屏位置对φ200 mm直拉硅单晶V/G、原生点缺陷浓度场以及热应力场的影响,使用CGSim有限元模拟软件进行了系统模拟.结果表明:热屏位置对硅单晶的V/G和原生点缺陷浓度的径向分布规律没有影响;较热屏至晶体侧表面距离相比,其底端至熔体表面距离的影响更大,即随着它的增加,V/G值沿径向普遍增大且由内向外变化程度增强,晶体心部高浓度空位区扩大,最大热应力减小.合理控制热屏底端至熔体表面的距离可有效改善晶体质量.

中图分类号:

张向宇;关小军;潘忠奔;张怀金;曾庆凯;王进. 热屏位置对直拉硅单晶V/G、点缺陷和热应力影响的模拟[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(4): 771-777.

ZHANG Xiang-yu;GUAN Xiao-jun;PAN Zhong-ben;ZHANG Huai-jin;ZENG Qing-kai;WANG Jin. Simulation on Effect of Heat Shield Position on the V/G and Point Defect and Thermal Stress of Gzochralski Silicon[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2014, 43(4): 771-777.

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