人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (4): 784-789.
宁来元;金腾;李晓静;于盛旺;申艳艳;唐伟忠;贺志勇
出版日期:
2014-04-15
发布日期:
2021-01-20
基金资助:
NING Lai-yuan;JIN Teng;LI Xiao-jing;YU Sheng-wang;SHEN Yan-yan;TANG Wei-zhong;HE Zhi-yong
Online:
2014-04-15
Published:
2021-01-20
摘要: 采用MPCVD法,以氢气和四甲基硅烷为先驱气体,YG6硬质合金刀片为基体材料,在不同沉积温度下制备了SiC涂层;并选用致密连续且附着性能优良的SiC涂层作为过渡层制备金刚石涂层.使用场发射扫描电镜、能谱仪和掠X射线衍射仪对SiC涂层和金刚石涂层的形貌和组成进行了分析,并对SiC涂层和金刚石涂层的附着力进行测试.结果表明,随着沉积温度升高,SiC涂层先由团聚在一起的β-SiC微晶相先转变为颗粒状和片状β-SiC,进而转变为团聚在一起的非晶态的SiC晶须;SiC涂层的厚度呈递增、致密度呈现先增强后减弱、表面粗糙度整体呈现先减小后增大、附着力呈先升高后降低的趋势.沉积温度为800℃时制备的片状SiC涂层与硬质合金基体有着良好的结合强度,将其作为过渡层时,能够在硬质合金表面制备出均匀、连续、致密的且附着力良好的金刚石涂层.
中图分类号:
宁来元;金腾;李晓静;于盛旺;申艳艳;唐伟忠;贺志勇. 沉积温度对硬质合金表面MPCVD法制备SiC过渡层的影响[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(4): 784-789.
NING Lai-yuan;JIN Teng;LI Xiao-jing;YU Sheng-wang;SHEN Yan-yan;TANG Wei-zhong;HE Zhi-yong. Effects of Temperature on SiC Interlayers on Cemented Carbide Substrates Deposited by MPCVD[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2014, 43(4): 784-789.
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