紫光对外延掺锰铁酸铋薄膜物性的影响

人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (4): 898-902.

紫光对外延掺锰铁酸铋薄膜物性的影响

彭增伟;姜庆华;朱慧娟;王晋峰;刘保亭

华北电力大学科技学院,保定071051;河北大学物理科学与技术学院,保定071002;唐山市职业技术学院机械工程系,唐山,063020;河北大学物理科学与技术学院,保定,071002;中国科学院国家天文台南京天文光学技术研究所,南京,210042

出版日期:2014-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
中央高校基本科研业务费专项资金(13MS106);国家自然科学基金(11074063,11374086);高等学校博士点基金(20091301110002);河北省应用基础研究计划重点项目(10963525D)

Effect of Purple Light on Physical Properties of Epitaxial Mn-doped BiFeO3 Film

PENG Zeng-wei;JIANG Qing-hua;ZHU Hui-juan;WANG Jin-feng;LIU Bao-ting

Online:2014-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用溶胶-凝胶的方法在(001)取向的SrRuO3/SrTiO3 (SRO/STO)异质结上制备了外延BiFen95 Mn0.05O3(BFMO)薄膜,并以氧化铟锡(ITO)作为上电极构架了ITO/BFMO/SRO型电容器.研究表明,BFMO薄膜为良好的外延生长,当波长为404 nm的紫光入射到电容器表面,产生光电导,漏电流密度变大;测试电压为5V时,无光和光照时的漏电流密度分别为2.92 mA/cm2和10.10 mA/cm2.通过对电流密度的拟合发现:欧姆传导为外延ITO/BFMO/SRO电容器的主要漏电机制,并且光照没有改变电容器的导电机制.在紫光照射下,外延ITO/BFMO/SRO电容器的电滞回线发生变化,这是由于光照在薄膜内部产生光生载流子的缘故.由于光辐射的作用,外延ITO/BFMO/SRO电容器的电容增大.

中图分类号:

O484.4+1

彭增伟;姜庆华;朱慧娟;王晋峰;刘保亭. 紫光对外延掺锰铁酸铋薄膜物性的影响[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(4): 898-902.

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