热退火诱导C+注入Si晶体的蓝光发射

人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (4): 918-922.

热退火诱导C+注入Si晶体的蓝光发射

周原;王茺;韦冬;卢赛;杨宇

云南大学光电信息材料研究所,昆明650091;上海飞机制造有限公司,上海200436;云南大学光电信息材料研究所,昆明,650091

出版日期:2014-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(10964016,10990103);教育部科学技术研究重点项目(210207);云南大学理工基金项目(2013CG024)

Blue Light Emission from the C+ Implanted Silicon Crystal Induced by Annealing

ZHOU Yuan;WANG Chong;WEI Dong;LU Sai;YANG Yu

Online:2014-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 在室温和注入能量为60 keV的条件下,在硅晶片中注入C+,使其剂量达到5.0×1016 cm2,随后即对样品进行高温退火处理.采用X射线衍射(XRD),拉曼和光致发光(PL)光谱技术对样品进行了表征.实验结果显示:C+注入后经高温退火的样品的XRD图谱中,在40°附近处出现了衍射峰,表明经退火后样品中形成了纳米尺寸的SiC团簇,并观察到了强烈的蓝光发射.PL光谱中的蓝光峰起源于量子限制效应.

中图分类号:

O643

周原;王茺;韦冬;卢赛;杨宇. 热退火诱导C+注入Si晶体的蓝光发射[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(4): 918-922.

ZHOU Yuan;WANG Chong;WEI Dong;LU Sai;YANG Yu. Blue Light Emission from the C+ Implanted Silicon Crystal Induced by Annealing[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2014, 43(4): 918-922.

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