溅射功率对脉冲磁控溅射沉积Cu2O薄膜结构和光学性能的影响

人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (4): 1003-1008.

溅射功率对脉冲磁控溅射沉积Cu2O薄膜结构和光学性能的影响

自兴发;杨雯;杨培志;彭柳军;邓双;宋肇宁

云南师范大学太阳能研究所,可再生能源材料先进技术及制备教育部重点实验室,昆明650092;楚雄师范学院物理与电子科学系,楚雄675000;云南师范大学太阳能研究所,可再生能源材料先进技术及制备教育部重点实验室,昆明650092;云南师范大学太阳能研究所,可再生能源材料先进技术及制备教育部重点实验室,昆明650092;托莱多大学物理与天文体系,托莱多43606,美国

出版日期:2014-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金联合资助基金项目(U1037604)

Effects of Sputtering Power on Structure and Optical Properties of Cu2O Thin Films Deposited by Pulse Magnetron Sputtering

ZI Xing-fa;YANG Wen;YANG Pei-zhi;PENG Liu-jun;DENG shuang;SONG Zhao-ning

Online:2014-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 利用脉冲磁控溅射制备技术,采用单质金属铜靶作为溅射靶,在氧气(O2)和氩气(Ar)的混合气氛下,在石英玻璃衬底上制备了Cu2O薄膜.研究了溅射功率对脉冲反应磁控溅射沉积法在室温下对生长Cu2O薄膜结构、表面形貌及光学性能的影响.结果表明,在O2、Ar流量比(O2/Ar)为30∶80的气氛条件下,在60～90 W的溅射功率范围内可获得＜ 111＞取向的Cu2O薄膜;薄膜的表面粗糙度的均方根值随溅射功率的增加而增大;薄膜的光谱吸收范围为300 ～670 nm,不同溅射功率下制备的薄膜均在430 nm附近出现明显的带边吸收,其光学带隙(Eg)在2.15～2.53 eV之间变化.

中图分类号:

O484

自兴发;杨雯;杨培志;彭柳军;邓双;宋肇宁. 溅射功率对脉冲磁控溅射沉积Cu2O薄膜结构和光学性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(4): 1003-1008.

ZI Xing-fa;YANG Wen;YANG Pei-zhi;PENG Liu-jun;DENG shuang;SONG Zhao-ning. Effects of Sputtering Power on Structure and Optical Properties of Cu2O Thin Films Deposited by Pulse Magnetron Sputtering[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2014, 43(4): 1003-1008.

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