基于正交试验的PECVD法沉积氮化硅薄膜工艺参数优化研究

人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (8): 1913-1920.

基于正交试验的PECVD法沉积氮化硅薄膜工艺参数优化研究

吴晓松;褚学宁;李玉鹏

上海交通大学机械与动力工程学院,上海,200240

出版日期:2014-08-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(51475290,51075261);高等学校博士学科点专项科研基金资助课题(20120073110096);上海市科技创新行动计划项目(11DZ1120800)

Optimization of Process Parameters for SiNx∶ H Films Deposited by PECVD Method through Orthogonal Experimental Design

WU Xiao-song;CHU Xue-ning;LI Yu-peng

Online:2014-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 利用多响应正交试验方法研究了PECVD法沉积氮化硅薄膜的工艺参数的优化问题.鉴于目前针对多输出影响过程,尚无有效的方法进行工艺参数优化这一问题,利用综合评分法对衬底温度、气体总流量、NH3/SiH4流量比、反应腔气体压力、高频电场功率5个对氮化硅薄膜的主要质量特性影响较大的工艺参数进行全局优化,再对不满足质量期望的工艺参数进行部分正交分析,对全局优化的结果进行调整,得到最终的氮化硅镀膜的最优工艺参数.国内某光伏企业的验证试验表明了所提方法的有效性.

中图分类号:

吴晓松;褚学宁;李玉鹏. 基于正交试验的PECVD法沉积氮化硅薄膜工艺参数优化研究[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(8): 1913-1920.

WU Xiao-song;CHU Xue-ning;LI Yu-peng. Optimization of Process Parameters for SiNx∶ H Films Deposited by PECVD Method through Orthogonal Experimental Design[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2014, 43(8): 1913-1920.