CuGaSe2∶Ge中间带半导体材料的制备

人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (8): 1921-1925.

CuGaSe2∶Ge中间带半导体材料的制备

郑平平;丁铁柱;康振锋;刘文德;李强;肖玲玲

内蒙古大学物理科学与技术学院,内蒙古半导体光伏技术重点实验室,呼和浩特010021

出版日期:2014-08-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(11264025);内蒙古自治区重大基础研究开放课题(20130902)

Preparation of Intermediate Band Semiconductor Materials CuGaSe2∶ Ge

ZHENG Ping-ping;DING Tie-zhu;KANG Zhen-feng;LIU Wen-de;LI Qiang;XIAO Ling-ling

Online:2014-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用脉冲激光沉积(PLD)法在钠钙玻璃衬底上制备了CuGaSe2∶Ge薄膜.采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对CuGaSe2∶Ge薄膜的晶体结构和表面形貌进行了表征,采用紫外-可见分光光度计分析了CuGaSe2∶Ge薄膜的光吸收、反射和透射特性.结果表明,在CuGaSe2中掺Ⅳ族元素Ge,价带到中间带和中间带到导带的光子吸收能量分别为0.89 eV和0.71 eV,禁带宽度为1.60 eV,能够形成中间带.

中图分类号:

TN304

郑平平;丁铁柱;康振锋;刘文德;李强;肖玲玲. CuGaSe2∶Ge中间带半导体材料的制备[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(8): 1921-1925.

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