GaN微米片的制备及性能研究

人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (9): 2186-2191.

GaN微米片的制备及性能研究

余春燕;翟化松;申艳强

太原理工大学材料科学与工程学院,太原030024;太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室,太原030024

出版日期:2014-09-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
山西省自然科学基金(2014011016-6);山西省回国留学人员科研项目(2011-031);山西省留学人员科技活动择优资助([2011]762)

Synthesis and Properties of GaN Micronsheets

YU Chun-yan;ZHAI Hua-song;SHEN Yan-qiang

Online:2014-09-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 通过采用化学气相沉积法(CVD),以金属Ga和NH3为原料,在Si (100)衬底和蓝宝石衬底上采用催化剂Ni合成了GaN微米片.利用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X-ray能谱仪(EDS)、光致发光谱(PL)和霍尔效应测试仪(HMS-3000)对样品进行表征.结果表明,生成的微米片为六方纤锌矿结构的GaN;样品在360 nm处有一近带边紫外发射峰,在676 nm处有一个因缺陷引起的弱的红光发射峰;不同衬底上产物GaN的电学性能有所不同.最后,对本实验所得的GaN微米片的形成机理进行了分析.

中图分类号:

TN304

余春燕;翟化松;申艳强. GaN微米片的制备及性能研究[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(9): 2186-2191.

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