溶胶水热法制备FTO纳米晶体薄膜及其电学性能研究

人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (10): 2677-2681.

溶胶水热法制备FTO纳米晶体薄膜及其电学性能研究

石海英;郑威;田均庆

哈尔滨理工大学材料科学与工程学院,哈尔滨,150040

出版日期:2014-10-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
黑龙江省教育厅新世纪优秀人才项目;教育部归国留学人员项目

Electrical Properties of FTO Nanocrystalline Thin Film Fabricated by Sol Hydrothermal Method

SHI Hai-ying;ZHENG Wei;TIAN Jun-qing

Online:2014-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 以SnCl2·2H2O和HF为前驱体,采用溶胶水热法成功制备掺氟的SnO2纳米晶体薄膜,以研究氟掺杂对其半导体性能和电学性能的影响.采用XRD,SEM,DTA-TG,IR,霍尔效应测试仪等手段分别进行测试,分析F/Sn比对其性能的影响,获得低表面电阻薄膜的制备条件.结果表明SnO2晶体随着烧结温度的升高发生改变,当温度在450℃,热处理时间为30 min,生成金红石晶型,并且在此温度下,F原子可以有效地掺杂.F掺杂明显的降低了薄膜的电阻率,有效的提高了薄膜的载流子浓度和迁移率.并且在氟锡摩尔比F/Sn为3∶10时,晶体薄膜表面方块电阻最低,为35 Ω/□,载流子浓度为2.8×1016/cm3,迁移率为31 cm2/V·s.

中图分类号:

O484

石海英;郑威;田均庆. 溶胶水热法制备FTO纳米晶体薄膜及其电学性能研究[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(10): 2677-2681.

SHI Hai-ying;ZHENG Wei;TIAN Jun-qing. Electrical Properties of FTO Nanocrystalline Thin Film Fabricated by Sol Hydrothermal Method[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2014, 43(10): 2677-2681.

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