当期目录

2014年 第43卷 第10期
刊出日期：2014-10-15

上一期    下一期

信息动态

2014, 43(10):  1. 

摘要 ( 4 )   PDF (100KB) ( 11 )  

相关文章 | 计量指标

闪烁单晶钨酸锌的坩埚下降法生长

赵学洋;张敬富;方义权;胡旭波;向军涛;潘建国;陈红兵

2014, 43(10):  2475-2480. 

摘要 ( 16 )   PDF (1262KB) ( 56 )  

相关文章 | 计量指标

通过高温固相反应或湿化学法合成ZnWO4多晶料,采用垂直坩埚下降法生长出φ25 mm× 60 mm的透明完整钨酸锌单晶.应用X射线粉末衍射分析证实了所制备钨酸锌多晶与单晶的结晶物相,测试了钨酸锌单晶的紫外可见透射光谱、光致发射光谱和X射线激发发射光谱,讨论了此闪烁单晶的氧气氛退火效应.结果表明,该单晶的透射光谱在400～800 nm波长区域呈现典型光学透过性,其吸收截止边位于380 nm左右,在紫外激发光或X射线激发作用下,此单晶具有峰值波长位于470 nm的荧光发射;此单晶经980℃温度下的氧气氛退火处理,其晶体着色有所变浅而光学透过性得以明显改善.

助溶剂NH4I条件下CuI晶体的降温法生长及性能研究

吕洋洋;许智煌;叶李旺;苏根博;庄欣欣

2014, 43(10):  2481-2486. 

摘要 ( 8 )   PDF (1208KB) ( 25 )  

相关文章 | 计量指标

以碘化铵(NH4I)作为助溶剂,采用溶液降温法生长CuI晶体.在50 ～60℃温区、6 mol/L助溶剂浓度条件下生长出厘米级尺寸的透明块状晶体.采用XRD、综合热分析(TG/DTA)对晶体进行结构表征,晶体属于γ相,相变温度分别为370℃(γ相→β相)和409℃(β相→α相).利用透射光谱、光致发光谱分析晶体的光学性能,晶体在可见区波段透过率达到70;,在426 nm附近有一个明显的带边特征峰,并伴有一个412 nm的肩峰.霍尔测试表明晶体为p型半导体,相应迁移率为11.88cm2 ·V-1 ·s-1.

Ar和H2气氛退火CdZnTe表面的XPS研究

郭欣;介万奇;何亦辉;周岩;王涛

2014, 43(10):  2487-2491. 

摘要 ( 15 )   PDF (1156KB) ( 43 )  

相关文章 | 计量指标

对CZT晶体进行了相同温度条件下Ar和H2气氛退火实验研究.利用XPS的离子溅射深度剖析对比分析了退火前和不同气氛退火后CZT晶体表面成分和价态的变化,并以上述变化为依据,推测了退火前CZT晶体的表面结构和成分以及退火过程中气体与CZT晶体表面发生的化学反应.结果表明,相比Ar气氛退火,H2气氛退火后因为TeO2和富Te层会先后和H2发生化学反应而大量减少,可以有效地去除TeO2和富Te层,增大H与CZT的接触面积,促进H与CZT的进一步反应.

大尺寸KDP/DKDP晶体的非线性吸收研究

王端良;李廷斌;张光辉;王圣来;王继扬;丁建旭

2014, 43(10):  2492-2496. 

摘要 ( 12 )   PDF (1185KB) ( 35 )  

相关文章 | 计量指标

大口径KDP/DKDP晶体可用作激光约束核聚变(ICF)中Pockels盒和倍频器件的晶体材料.但是在强激光脉冲下,非线性光吸收限制了激光输出的能量密度和晶体的应用.本文利用Z-扫描技术,测量了大口径KDP和DKDP(70;氘含量)晶体样品在皮秒激光波长λ=1064 nm,532 nm下的非线性吸收曲线,获得相应的非线性吸收系数β.研究表明,在λ=532 nm时,KDP晶体的非线性吸收系数β介于0.0124～0.1591 cm/GW之间,Ⅰ类DKDP(70;氘含量)的非线性吸收系数β为0.0920 cm/GW;当λ=1064 nm时,KDP和DKDP(70;氘含量)都未测量到非线性吸收.晶体的非线性吸收可能与波长、晶体的切向等有关.

三种氮化物触媒原料的cBN单晶合成效果

许斌;温振兴;蔡立超;张文;吕美哲;苏海通

2014, 43(10):  2497-2502. 

摘要 ( 5 )   PDF (1229KB) ( 33 )  

相关文章 | 计量指标

在压力4.2～5.5 GPa、温度1350 ～ 1540℃条件下,分别采用Li3N、Ca3 N2、Mg3N2三种氮化物粉末作为触媒合成出了cBN单晶;研究了三种触媒的cBN单晶合成效果,对得到的cBN单晶产量和转化率、粒度分布、抗压强度和表面形貌等进行了表征和对比,并讨论了三种触媒合成cBN单晶的经济性及其应用.结果表明,采用Li3N触媒合成出的cBN单晶,产量和转化率高,单晶粒度大,抗压强度高,晶体生长完善,生长缺陷少,但Li3N触媒价格昂贵,适用于工业化生产高品级cBN大单晶;采用Ca3N2触媒合成出的cBN单晶虽然其产量和转化率低,粒度较小,但生长较为完善,表面缺陷较少,同时Ca3N2触媒价格便宜,适用于工业化生产高品级的cBN小单晶;采用Mg3N2触媒合成出的cBN单晶产量和转化率居中,单晶粒度小,晶体表面粗糙,存在较多生长缺陷,但Mg3N2触媒价格低廉,可大大降低cBN单晶的生产成本,适用于工业化生产较低品级的cBN单晶和微粉.

新型弛豫铁电晶体PIN-PT的单晶生长与性能表征

方义权;赵学洋;柯毅阳;向军涛;胡旭波;魏冉;王敏刚;陈红兵

2014, 43(10):  2503-2508. 

摘要 ( 7 )   PDF (1245KB) ( 37 )  

相关文章 | 计量指标

按照0.65Pb(In1/2Nb1/2)03-0.35PbTiO3的计量组成,应用高温固相分步合成方法制备出钙钛矿相PIN-PT多晶料,采用熔体坩埚下降法生长出尺寸φ20 mm × 50 mm的PIN-PT晶体毛坯.采用XRD、DTA/TG对PIN-PT晶体的结晶物相与热学性能进行了分析表征,测试了(111)取向PIN-PT晶片样品的介电温谱、压电常数和电滞回线.结果表明所生长晶体毛坯呈现具有显著特征的结晶相分布,即晶体毛坯中间部分为钙钛矿相而外围部分出现焦绿石相,且钙钛矿相晶体呈现沿晶体毛坯轴向逐渐发育生长趋势;取自晶体毛坯中上部的晶片基本为四方相,其(111)取向晶片的压电常数d33 ～415 pC/N,机电耦合系数k33～37.5;,室温介电常数ε～3095,介电损耗ta硒～1.0;,居里温度达266℃,矫顽电场Ee～11.04 kV/cm,剩余极化Pr～ 21.07 μC/cm2.

基于钎料粒度匹配机理的Ni-Cr合金钎焊金刚石的研究

王波;肖冰;邵明嘉;段端志

2014, 43(10):  2509-2514. 

摘要 ( 7 )   PDF (1656KB) ( 35 )  

相关文章 | 计量指标

为解决钎焊金刚石工艺中钎料层厚度均匀性难以控制以及钎料用量与磨粒匹配困难的问题,建立了金刚石磨粒与钎料合理钎焊的几何模型,得到了具有理想钎焊效果的金刚石与钎料粒度匹配公式.运用匹配公式进行了钎焊金刚石新工艺实验,采用粒度为60目的球状颗粒Ni-Cr合金钎料对30目、50目、80目金刚石进行真空钎焊.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)分析金刚石钎焊微观形貌及焊接界面,结果表明:金刚石与Ni-Cr合金钎料界面有新碳化物生成,保证了钎焊性;30目与50目金刚石出露较好,表面无包覆;50目金刚石磨粒被良好包埋,且对金刚石有较好的爬升效果,平均包埋高度约为金刚石粒度的30;.

电弧分区特征对金刚石形核的影响

左振博;郭建超;刘金龙;陈良贤;朱瑞华;闫雄伯;魏俊俊;黑立富;李成明

2014, 43(10):  2515-2521. 

摘要 ( 13 )   PDF (2612KB) ( 35 )  

相关文章 | 计量指标

在直流电弧等离子体喷射CVD法制备金刚石膜中,电弧可分为弧心、弧干、弧边三个区域.本文主要阐述了电弧的分区特征,讨论电弧区域特征对金刚石形核的影响.同时,以电弧分区特征为基础,探讨了预处理方式和温度对金刚石形核的关联影响.结果表明:形核初期对应于TiC粉的Raman谱,衬底的钛过渡层表面形成了TiC的过渡层,弧心区域金刚石形核迅速,形核密度较高,而在弧边区域金刚石形核缓慢,形核密度相对较低.

基于离子渗铌过渡层的金刚石刀具涂层结合性能研究

徐俊华;徐锋;刘召志;赵先锐;卢文壮;左敦稳

2014, 43(10):  2522-2527. 

摘要 ( 10 )   PDF (1242KB) ( 32 )  

相关文章 | 计量指标

对含钴量10wt;的硬质合金刀片进行酸碱两步法预处理后采用双辉离子渗技术在表面渗铌过渡层,采用热丝化学气相沉积金刚石涂层.通过SEM、Raman等手段表征涂层形貌和质量,用压痕法检测膜基结合性能,研究了该预处理方法对金刚石生长及其结合性能的影响.结果表明,相比传统的过渡层制备方法,双辉离子渗技术具有更大的优势,铌过渡层填补了酸碱两步法产生的孔隙,在高温作用下向基体内部扩散并浸润WC颗粒,与基体结合紧密,减小了疏松层厚度,同时阻挡了Co的扩散,提高了形核密度并细化了金刚石晶粒,涂层质量和膜基结合性能得到改善.

聚乙烯吡咯烷酮分子量对LiFePO4/C形貌及电化学性能的影响

陈进;韩绍昌;范长岭

2014, 43(10):  2528-2533. 

摘要 ( 9 )   PDF (1682KB) ( 30 )  

相关文章 | 计量指标

以价廉、低毒的无机盐为原料、去离子水为溶剂,通过简易可行的络合溶胶-凝胶法合成了LiFePO4/C复合正极材料.利用XRD、SEM、EIS及恒流充放电测试考察了聚乙烯吡咯烷酮(PVP)分子量对试样的形貌及电化学性能的影响.结果表明,以PVP-k30为表面活性剂所合成的试样颗粒均匀细小、形貌较规则且单分散性良好;该试样具有优良的电化学性能,0.1C的放电比容量为155.7 mAh/g,3C倍率下放电比容量依然能保持112.4 mAh/g,明显优于其它分子量PVP所制备的试样.

不同pH值下ZTS晶体(100)面台阶生长动力学规律和位错缺陷的研究

程旻;康道远;宋森;李明伟;张小莉

2014, 43(10):  2534-2539. 

摘要 ( 8 )   PDF (1666KB) ( 32 )  

相关文章 | 计量指标

通过利用光学显微镜,对不同pH值下ZTS晶体(100)面的台阶推移过程进行了实时观察,发现在同一过饱和度下,调高生长溶液的pH值会导致台阶推移速率降低;而调低pH值时,台阶的平均推移速率增大,当pH =4.2时,(100)面生长速度最快.计算出不同pH值下的台阶动力学系数βl和台阶活化能E的数值.对不同pH值下生长出的ZTS晶体的(100)面进行了位错缺陷观察,发现pH =4.2时,位错密度较低,有利于晶体生长质量的提高.

花状NaLa(MoO4)2∶Eu3+,M(M=Gd3+,Ti4+)红色荧光粉的水热合成及发光性能

翟永清;李金航;李璇;王艳慧;刘佳;姜曼;胡雪燕

2014, 43(10):  2540-2545. 

摘要 ( 8 )   PDF (1684KB) ( 29 )  

相关文章 | 计量指标

以乙二醇和水的混合溶液为溶剂,采用水热法合成了花状的NaLa(MoO4)2∶Eu3+红色荧光粉.通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、荧光分光光度计等手段对产物进行了分析和表征.结果表明:产物NaLa(MoO4)2∶Eu3+属于四方晶系白钨矿结构.样品分散性好,粒度均匀,呈花状结构.样品的激发光谱分为两部分:位于250～350 nm的宽激发带归属于Eu-O,Mo-O之间的电荷迁移;350～500 nm的系列尖锐峰归属于Eu3+的f-f跃迁.样品的发射光谱中主发射峰位于615 nm处,归属于Eu3的5 Do→7R电偶极跃迁.此外,共掺杂适量的Gd3+或Ti4能够有效敏化Eu3+的发光,明显增强了615 nm的红光发射.

Nd∶YAG透明陶瓷制备与激光性能

李兴旺;张月娟;莫小刚;王永国;徐学珍;侯玮;周寿桓

2014, 43(10):  2546-2554. 

摘要 ( 18 )   PDF (2749KB) ( 45 )  

相关文章 | 计量指标

采用化学沉淀法分步制备了分散性好、团聚少的纳米Y2O3、Nd2O3和Al2O3粉体,经球磨混合和喷雾干燥后,获得了颗粒形貌为球形、粒径在20 ～ 40 μm间的混合陶瓷粉体.粉体经成型后,采用真空烧结工艺制备出了直径为75 mm、厚度5 mm的高透明Nd∶ YAG陶瓷,其在1064 nm和400 nm处的透过率均高于80;,接近于Nd∶ YAG单晶的理论透过率.应力和干涉条纹测试结果表明,所制备的Nd∶ YAG透明陶瓷应力分布均匀,干涉条纹平直,具有良好的光学均匀性.FESEM和XRD测试结果表明,陶瓷的晶粒尺寸在10 ～ 20 μm之间,晶界干净,没有残留气孔和杂质相.对从Nd∶ YAG陶瓷圆片上选切出的3 mm×3mm×5 mm和3mm×3 mm×10mm的Nd∶ YAG激光陶瓷元件进行激光性能测试,实现了连续瓦级激光输出,在泵浦注入功率为18.6 W时,分别获得了7.78W和7.75 W激光输出,光光转换效率分别为41.8;和41.7;.

柠檬酸铵辅助溶胶-凝胶法制备Gd2Zr2O7纳米粉体及其表征

江芬芬;陈兴涛;徐家云

2014, 43(10):  2555-2561. 

摘要 ( 10 )   PDF (2160KB) ( 31 )  

相关文章 | 计量指标

以Gd(NO3)3·6H2O、Zr(NO3)4·6H2O为原料,无水柠檬酸(C6H8O7)为螫合剂,无水乙醇做溶剂,采用柠檬酸铵(C6H17N3O7)分散剂辅助溶胶凝胶法合成分散好的Gd2Zr2O7纳米粉体.通过TG-DSC、XRD、SEM、TEM测试方法对合成的粉体进行了表征.结果表明:添加的柠檬酸铵与无水柠檬酸的摩尔量之比为1时,其溶胶的pH值为2.8左右,所制得的Gd2Zr2O7前驱体在空气中900℃煅烧4h后得到分散均匀、团聚程度轻、结晶良好的纯相Gd2Zr2O7纳米粉体,样品为缺陷型萤石结构,平均晶粒尺寸约为33 nm.

无粘结剂BaTiO3陶瓷烧结行为及介电性能研究

董子靖;蒲永平;孙梓雄;胡耀;王培奎;柳晓燕

2014, 43(10):  2562-2566. 

摘要 ( 9 )   PDF (2049KB) ( 34 )  

相关文章 | 计量指标

以微波水热法制备的BaTiO3纳米粉体为原料,在不使用任何粘结剂的情况下,对由不同起始粒度组成的坯体进行微波烧结制备BaTiO3陶瓷.利用SEM和LCR阻抗分析仪研究了不同起始粒度对于BaTiO3陶瓷烧结行为、微观形貌及介电性能的影响.结果表明:随着起始粒度的减小,BaTiO3陶瓷的烧结温度降低,晶粒尺寸减小,其介电常数也相应增大、居里峰向低温方向移动.不添加粘结剂,对BaTiO3陶瓷的成型性能影响不大.起始粒度为75～ 48 μm的无粘结剂BaTiO3坯体经过烧结后,相对密度为96.5;,室温最大介电常数达到6968.

凝胶注模法制备吸声多孔陶瓷及其性能研究

杨晨;税安泽;覃东;许林峰;朱雯莉;张勇林;吴诚

2014, 43(10):  2567-2572. 

摘要 ( 5 )   PDF (1680KB) ( 30 )  

相关文章 | 计量指标

以普通建筑陶瓷坯料为原料、天然植物胶为凝胶剂,通过凝胶注模工艺研制了吸声多孔陶瓷.研究了多孔陶瓷的显微结构以及多孔陶瓷的显气孔率、孔径和厚度对吸声性能的影响.结果表明:延长浆料搅拌时间可提高试样的显气孔率,而较大的显气孔率使吸声曲线的吸声峰向高频方向偏移,吸声峰值呈现先增加后降低的趋势;适当增加浆料固含量可减小孔径,孔径变小导致试样吸声峰向低频方向缓慢偏移,吸声峰值提高;增加厚度有利于试样吸声峰向低频方向偏移,而不同频率范围内吸声系数变化趋势不同.

Y2O3掺杂对(Ba0.85Ca0.15)Zr0.1Ti0.896Sm0.004O3无铅压电陶瓷介电弛豫与电性能的影响

黄小琴;刘其斌;张诚;姚利兰

2014, 43(10):  2573-2579. 

摘要 ( 5 )   PDF (2166KB) ( 31 )  

相关文章 | 计量指标

采用固相法制备了(Ba0.85Ca0.15)1-xYxZr0.1Ti0.896Sm0.004O3(BCZTS-Yx)无铅压电陶瓷.研究了Y2O3含量对BCZTS-Yx无铅压电陶瓷相结构、压电与介电性能的影响.结果表明:Y3+作为施主掺杂物占据A位.当0.004≤x≤0.006时,陶瓷存在三方相与四方相共存的准同型相界结构.当x=0.006时,陶瓷具有最佳的电性能,分别为d33=384 pC/N,kp=37.2;,εr～6775,tanδ ～ 2.04;.利用Curie-Weiss定律对该实验结果进行拟合,发现x为0.006的样品的介电弛豫特征更为明显.

区熔法制备Al2O3/MgAl2O4共晶陶瓷

曹献莹;刘俊成;刘安法;白佳海;任允鹏;丁锐

2014, 43(10):  2580-2585. 

摘要 ( 6 )   PDF (2545KB) ( 22 )  

相关文章 | 计量指标

利用感应区熔法制备了Al2O3/MgAl2O4共晶陶瓷.当坩埚壁温为2150℃、行走速度为5 mm/h时,获得了φ10 mm×104 mm表面光滑的圆棒.结果表明共晶陶瓷由Al2O3相和MgAl2O4相组成,分别按照(110)(311)晶面生长;Al2O3相为基体相,MgAl2O4相以非连续的片状均匀地分布在基体相之中.定向凝固共晶陶瓷的密度是理论值的99;;硬度和断裂韧性分别达到18.7 GPa和3.74 MPa·m1/2,约是预烧结体的2倍.气孔和界面非晶相的消失以及以单晶形态存在的Al2O3基体相,有效提高了材料的硬度和断裂韧性.

石英钟罩对MPCVD金刚石膜沉积的影响

李莉莉;丁明清;潘攀;胡健楠;冯进军

2014, 43(10):  2586-2591. 

摘要 ( 17 )   PDF (2101KB) ( 43 )  

相关文章 | 计量指标

为了提高高品质金刚石膜的沉积速率,利用CST三维电磁场仿真软件,模拟了Diamo Tek700微波等离子体化学气相沉积设备中,在忽略等离子体存在的前提条件下,石英钟罩的厚度和形状对沉积金刚石膜的基片表面电场分布的影响.同时采用壁厚3 mm,3.5 mm和4mm的平顶和壁厚4 mm的圆顶钟罩分别进行了金刚石膜的沉积实验.模拟结果显示,对于同一类型的石英钟罩,壁厚的变化(3 ～4 mm)对基片表面平均电场影响不大;而壁厚相同的圆顶钟罩情况下基片表面平均电场则比平顶的高出10;.壁厚4 mm的圆顶石英钟罩得到了相对较高且均匀的电场分布.结果表明,沉积速率与模拟的基片表面电场强度存在对应关系;采用壁厚4 mm圆顶钟罩与原厂设计的壁厚3 mm平顶钟罩相比,在相同的工艺条件下,沉积速率提高一倍,达到1.4 μm/h.

Sn、Tb复合掺杂钛酸钡陶瓷的制备及介电性能研究

陈德华;景文斌;张乐;王丽熙;张其土

2014, 43(10):  2592-2596. 

摘要 ( 11 )   PDF (1150KB) ( 21 )  

相关文章 | 计量指标

采用传统固相法制备Sn、Tb复合掺杂BaTb0.01SnxTi0.99-xO3(x=0、0.05、0.10、0.15)陶瓷,借助X射线衍射、扫描电镜和阻抗分析仪研究Sn、Tb复合掺杂以及Sn掺杂量对钛酸钡陶瓷结构及介电性能的影响.结果表明,掺入SnO2后仍可保持单一钙钛矿结构,并且样品晶粒细化.当Sn掺杂量为10mol;,烧结温度为1350℃时,Sn、Tb复合掺杂BaTb0.01Sn0.1Ti0.89O3陶瓷居里峰移向低温,室温介电常数显著提高,可以达到9069,介电损耗仅为0.011.

超声波协同微波溶剂热合成工艺对FeS2性能影响的研究

邹正光;张明月;龙飞;武晓鹂;张劲

2014, 43(10):  2597-2604. 

摘要 ( 6 )   PDF (2247KB) ( 31 )  

相关文章 | 计量指标

以FeSO4·7H2O和Na2S2O3·5H2O为原料、乙二醇为溶剂,采用超声波协同微波溶剂热法制备了黄铁矿型FeS2粉体.研究了反应温度、反应时间对产物物相及形貌的影响,并通过添加表面活性剂对产物的形貌进行了控制.结果表明:采用该合成方法,于130℃反应温度下反应30 min可以获得组成接近化学计量比、结晶度较好的黄铁矿型FeS2粉体,其形貌为由片状聚集而成的花球状,该样品在紫外-可见光区具有良好的光吸收性能,禁带宽度约1.55 eV.添加SDS、SDBS和CTAB均使得FeS2的光催化活性降低,但SDBS的加入,有效提高了产物的比表面积从而使得产物对亚甲基蓝的吸附作用增强.

Eu3+掺杂Lu2(MoO4)3红色荧光粉的制备与表征

杨国涛;曾?旃?张梅;罗坚义;陈叶青;何鑫;盛业青

2014, 43(10):  2605-2610. 

摘要 ( 8 )   PDF (1253KB) ( 33 )  

相关文章 | 计量指标

采用高温固相法合成了一系列Eu3+掺杂Lu2(MoO4)3的红色荧光粉(Lu2(MoO4)3∶xEu3+),使用X射线粉末衍射仪(XRD)、荧光光谱仪对其物相结构和发光性能进行表征.XRD结果表明,当Eu3+的掺杂量达到0.06时,Lu2(MoO4)3的晶相结构并没有发生明显的改变.研究Eu3+的掺杂浓度对其发光性能影响时发现,Eu3+的掺杂浓度达到0.05时出现浓度淬灭现象,通过分析发现这是由于交换相互作用导致的Eu3+之间能量转移.退火温度对发光性能的研究表明,当退火温度为1100℃时,Eu3+的发光强度达到最大.

BaMgAl10O17∶Eu3+红色荧光粉的合成及其发光性能

吴宪君;徐家跃;张彦

2014, 43(10):  2611-2614. 

摘要 ( 6 )   PDF (685KB) ( 26 )  

相关文章 | 计量指标

采用助熔剂固相合成法,合成了BaMgAl10O17∶Eu3+荧光粉,并分析了材料的光学性能,研究了助熔剂对合成温度、晶体结构和发光性能的影响.结果表明,制备的BaMgAl10O17∶Eu3+属于六方晶系.助熔剂固相法合成温度比传统高温固相法合成温度降低了300℃.BaMgAl10O17∶Eu3+荧光粉能被394 nm的紫外光有效激发,其发射主峰位于612 nm,属于占据非对称中心格位Eu3+的5D0→7F2的电偶极(ED)跃迁.在394 nm激发下,BaMgA110O17∶Eu3+荧光粉的色度坐标为(0.655,0.345),这说明助熔剂固相法合成的样品的色纯度较高,光色为橙红色.

Er3+/Yb3+共掺铌硅酸盐透明玻璃陶瓷的制备及表征

邓爽;张洪波;邹翔宇;苏春辉

2014, 43(10):  2615-2619. 

摘要 ( 8 )   PDF (1608KB) ( 33 )  

相关文章 | 计量指标

采用熔融晶化法制备了主晶相为CaNb2O6的Er3+/Yb3+共掺透明铌硅酸盐玻璃陶瓷,利用DSC、XRD、SEM、UV-Vis-NIR和荧光光谱仪分别对样品的热处理制度、析出的晶相、微观形貌、光透过率和发光性能进行了测试和表征.研究表明:该体系玻璃最佳晶化温度为800℃,最佳热处理时间为2h;制得的玻璃陶瓷在可见光区的透过率可达70;;并讨论了不同Er3 +/Yb3+掺杂浓度对玻璃陶瓷样品发光性能的影响,发现当yb3+/Er3+掺杂浓度比为10∶1时发光强度为最大.

CuO掺杂对Ba0.96(Bi0.5K0.5)0.04TiO3陶瓷烧结行为和介电性能的影响

赵娇娇;蒲永平;张盼盼;吴煜蓉

2014, 43(10):  2620-2624. 

摘要 ( 6 )   PDF (1179KB) ( 19 )  

相关文章 | 计量指标

采用固相法制备了Ba0.96(Bi0.5K0.5)0.04TiO3-xCuO(x=0 ～0.05)陶瓷,通过XRD、SEM和阻抗分析仪等测试手段研究了CuO掺杂对Ba0.96(Bi0.5K0.5) 0.04TiO3陶瓷烧结温度、相组成、显微结构和介电性能的影响.结果表明:在x=0 ～0.05掺杂浓度范围内,所有陶瓷样品均为钙钛矿结构,且没有第二相的生成.当x≤0.03时,CuO与Ba0.96(Bi0.5K0.5)0.04TiO3形成固溶体,Cu2进入晶格取代Ti4的位置.在x=0.02时,陶瓷样品的四方率c/a达到最大,居里温度Tc最高为148.5℃.当x≥0.04时,过量的CuO在晶界处形成液相,显著降低烧结温度.当x=0.05时,烧结温度降为1275℃,由于液相的产生,陶瓷样品致密度提高,内部缺陷减少,介电损耗最小.在掺杂CuO的陶瓷样品中,介电常数先增大后减小,在x=0.01时达到最大.

(1-x)CaTiO3-xLaAlO3陶瓷的微波介电性能研究

赵小玻;高勇;侯立红;宋涛;王营营;张萍萍;车松蔚;鲍晓芸

2014, 43(10):  2625-2629. 

摘要 ( 6 )   PDF (732KB) ( 30 )  

相关文章 | 计量指标

通过传统的固相反应法制备了(1-x)CaTiO3-xLaAlO3陶瓷,系统地研究了LaAlO3含量的变化对陶瓷的晶体结构、微观结构和微波介电性能的影响.结果表明,LaAlO3含量的增加导致(1-x)CaTiO3-xLaAlO3陶瓷的晶格结构发生畸变,使得陶瓷的介电常数下降、Q·f值增加,并使其谐振频率温度系数向负值处发生偏移.LaAlO3的含量为x=0.33时,(1-x)CaTiO3-xLaAlO3陶瓷的烧结温度为1460℃,展示了良好的微波介电性能:εr=45.3、Q·f=36218 GHz、τf=-0.5 ppm/℃.

氧气流量对MPCVD制备微/纳米双层金刚石膜的影响

刘聪;汪建华;吕琳;翁俊

2014, 43(10):  2630-2634. 

摘要 ( 16 )   PDF (1161KB) ( 43 )  

相关文章 | 计量指标

应用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术,以CH4/H2/Ar为主要气源,成功制备出了微/纳米双层金刚石膜.同时,在纳米膜层生长过程中,通过添加O2辅助气体,研究了不同O2流量对微/纳米金刚石膜生长的影响.结果表明,当O2流量在0 ～ 0.8 sccm范围时,所获得的金刚石膜仍为微/纳米两层膜结构;当氧气流量增加到1.2 sccm时,金刚石膜只有一层微米膜结构;而O2流量在0～ 1.2 sccm范围时,纳米层晶粒尺寸及品质与氧气流量成正比例关系.表明适量引入O2可以促进纳米层晶粒长大和提高膜品质.另外,当O2流量为0.8 sccm,所制备的微/纳米金刚石膜不仅品质好,而且生长率也较高.

碳纳米管导电纸制备及其电磁屏蔽性能研究

庞志鹏;孙晓刚;程晓圆;曹宏辉;吴小勇;付琦

2014, 43(10):  2635-2640. 

摘要 ( 23 )   PDF (2145KB) ( 27 )  

相关文章 | 计量指标

研究了一种新型柔性碳纳米管复合导电纸.以纸纤维作为载体,晶须状碳纳米管为导电剂,通过高速剪切的方法制备纸纤维与碳纳米管悬浮液,使碳纳米管均匀分散并吸附在纸纤维.经过真空抽滤,悬浮液均匀沉降形成致密的纤维网.烘干后轧制成碳纳米管-纸纤维复合导电纸.采用扫描电子显微镜、四探针电阻仪、矢量网络分析仪对其进行表征.研究表明当纸纤维和碳纳米管加载比为1:1时,碳纳米管导电纸表面电阻可达28 Ω/□,体积电阻率可达2.32 Ω· cm.在175 ～ 2700 MHz频段,碳纳米管导电纸电磁屏蔽效能为-18～-31 dB,多层碳纳米管导电屏蔽效能可达-24 ～-37 dB.

硅基Pt/Ba0.6Sr0.4TiO3/Pt电容器不同温度下的漏电机理研究

王世杰;代秀红;贾长江;张磊;贾艳丽;刘保亭

2014, 43(10):  2641-2645. 

摘要 ( 8 )   PDF (1156KB) ( 29 )  

相关文章 | 计量指标

利用脉冲激光沉积技术在Pt(111)/TiO2/SiO2/Si(001)衬底上生长了厚度约为200 nm的Ba0.6 Sr04TiO3(BST)薄膜,构架了Pt/BST/Pt平行板电容器,测量了Ba06Sr0.4TiO3薄膜电容器在不同温度下的漏电流,研究了BST薄膜的结构和性能.结果表明BST薄膜为多晶钙钛矿结构,随着测量温度的降低,漏电流密度也随之降低,但是正负偏压下的J-V曲线并不对称,这主要归因于上下Pt电极与BST的界面热处理不同.通过不同导电机理对漏电流密度拟合发现,在负向偏置电压下,Pt/BST/Pt电容器均基本符合欧姆导电机制;而对于正向偏置电压,在低电压下符合欧姆导电机制,并且符合欧姆导电机制的电压范围在不断扩大,在高电压下符合空间限制电流(SCLC)导电机制.

钙钛矿结构YFe1-xCrxO3纳米晶的制备与磁性能调控

吴宪君;申慧;徐家跃

2014, 43(10):  2646-2649. 

摘要 ( 8 )   PDF (681KB) ( 20 )  

相关文章 | 计量指标

以柠檬酸为燃料,采用低温且快速的溶胶凝胶自燃烧法制备了YFe1-xCrxO3(0≤x≤0.2)纳米材料,通过工艺优化,得到了高纯、结晶均匀的纳米晶.利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、振动样品强磁计(VSM),系统研究了Cr3+掺杂对YFeO3物相、结构、形貌和磁性的调控作用.结果表明:经过Cr3+掺杂,可以有效降低正交钙钛矿相的合成温度,晶胞参数有一定程度的减小.Cr3+掺杂对YFeO3的磁性具有显著的调控作用,纯相YFeO3表现出铁磁特性,而YFe0.8Cr02O3则具有明显的顺磁特性,这与Cr3+较小的磁矩以及掺杂Fe3+造成的结构畸变等密切相关.

Li-O共掺杂AlN晶体的第一性原理研究

闫征;郑瑞生;武红磊

2014, 43(10):  2650-2655. 

摘要 ( 9 )   PDF (2103KB) ( 38 )  

相关文章 | 计量指标

采用基于密度泛函理论的第一性原理全势线性缀加平面波法,研究了Li-O共掺杂纤锌矿AlN体系的品格结构、电子态密度、能带结构和光学性质,较详细地分析了O对Li掺杂AlN晶体p型特性的影响.结果表明:Li-O共掺杂会导致AlN晶格收缩和禁带宽度减小;与Li单掺杂相比,O杂质的加入使得价带顶部的态密度峰值减小且局域化加强,降低了Li在AlN晶体中的受主特性.相较于未掺杂时的情况,Li-O共掺杂AlN的介电函数虚部谱只保留了位于7.5 eV处的主峰,谱线也变得更加平缓,而材料的吸收区范围未受到影响.Li-O共掺杂后的AlN材料依然能很好地工作在紫外光区域.

热还原温度对氧化石墨烯电阻-温度特性的影响

侯若男;彭同江;孙红娟;陈军刚

2014, 43(10):  2656-2663. 

摘要 ( 9 )   PDF (1830KB) ( 35 )  

相关文章 | 计量指标

Hummers法制备的氧化石墨在水中超声分散获得氧化石墨烯,再在不同温度下焙烧进行热还原获得不同还原程度的氧化石墨烯.以Ag-Pd叉指电极衬底为基底,采用沉淀镀膜法制备阻温元件.利用热重和差热分析(TG-DTA)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、拉曼光谱(Raman)和紫外可见光谱(UV-vis)对氧化石墨烯的热稳定性、官能团、结构缺陷和能带结构等结构属性进行表征.结果表明:随着还原温度由100℃提高到450℃,氧化石墨烯含氧官能团逐渐脱失减少,缺陷增多;禁带宽度减小,由3.04 eV减小到2.4eV;导电性增强,电阻由696.3 kΩ降至8Ω,表现出负电阻-温度特性.阻温元件样品的电阻随着测试温度的升高而降低,表现出明显的半导体行为,并且电导率与温度关系符合阿伦尼乌斯定理.

简易溶液法快速制备Cu2ZnSnS4纳米晶工艺研究

陈进;陈勤妙;王婷婷;贾震;周芳芳;窦晓鸣

2014, 43(10):  2664-2670. 

摘要 ( 8 )   PDF (2240KB) ( 30 )  

相关文章 | 计量指标

采用一种简易溶液法成功快速制备出低成本薄膜太阳能电池用Cu2ZnSnS4(CZTS)纳米晶.探讨合成温度和时间对CZTS纳米晶的结构、形貌、元素比例及光学特性的影响,实现可控的CZTS纳米晶合成.以上特性分别采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能量色散谱仪(EDX)、紫外-可见光谱仪(UV-vis)进行表征.结果表明:温度为250℃,时间为1h时可获得锌黄锡矿结构,团聚颗粒约为200～500 nm,化学计量比约为Cu∶ Zn∶ Sn∶S=2.17∶ 1∶1.23∶4.69,禁带宽度为1.5 eV的纳米晶,适合印刷法制备CZTS薄膜太阳能电池吸收层.

Al2O3掺杂对微波介质陶瓷Ca0.16Sr0.04Li0.4Nd0.4TiO3烧结特性和微波介电性能的影响

屈婧婧;彭福伟;刘飞;陈国华;袁昌来

2014, 43(10):  2671-2676. 

摘要 ( 5 )   PDF (1230KB) ( 31 )  

相关文章 | 计量指标

采用固相反应法在1300℃烧结4h得到了致密的具有钙钛矿结构的Ca0.16Sr0.04Li0.4Nd0.4TiO3微波介质陶瓷.通过X射线衍射仪、扫瞄电子显微镜和矢量网络分析仪系统的研究了不同含量Al2O3掺杂对Ca0.16Sr0.04Li0.4Nd0.4TiO3(CSLNT)陶瓷的烧结行为、晶体结构、显微形貌以及微波介电性能的影响.结果表明,对于CSLNT+ xwt;Al2O3陶瓷,随着Al2O3掺杂量的增加,介电常数(εr)有轻微的降低,而温度系数(τf)有所增加;由于第二相的出现导致了品质因子(Q·f)先增后减.当Al2O3掺杂量为2wt;时,其介电性能最佳的致密化烧结温度为1200℃,此时具有最佳的微波介电性能:εr=112.6,Q·f=1698 GHz和τf=31.9 ppm/℃.

溶胶水热法制备FTO纳米晶体薄膜及其电学性能研究

石海英;郑威;田均庆

2014, 43(10):  2677-2681. 

摘要 ( 9 )   PDF (715KB) ( 23 )  

相关文章 | 计量指标

以SnCl2·2H2O和HF为前驱体,采用溶胶水热法成功制备掺氟的SnO2纳米晶体薄膜,以研究氟掺杂对其半导体性能和电学性能的影响.采用XRD,SEM,DTA-TG,IR,霍尔效应测试仪等手段分别进行测试,分析F/Sn比对其性能的影响,获得低表面电阻薄膜的制备条件.结果表明SnO2晶体随着烧结温度的升高发生改变,当温度在450℃,热处理时间为30 min,生成金红石晶型,并且在此温度下,F原子可以有效地掺杂.F掺杂明显的降低了薄膜的电阻率,有效的提高了薄膜的载流子浓度和迁移率.并且在氟锡摩尔比F/Sn为3∶10时,晶体薄膜表面方块电阻最低,为35 Ω/□,载流子浓度为2.8×1016/cm3,迁移率为31 cm2/V·s.

Zn2SiO4纳米材料的可控制备及光吸收性能研究

张绍岩;康海彦;高岩磊

2014, 43(10):  2682-2686. 

摘要 ( 7 )   PDF (1658KB) ( 33 )  

相关文章 | 计量指标

以Zn(NO2)2·6H2O和纳米SiO2为原料,采用水热法,通过控制反应体系pH值制备了Zn2SiO4纳米颗粒、纳米棒及海胆形微米球.采用X射线衍射(XRD)及场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)对样品的物相组成和微观形貌进行了表征.并采用紫外-可见漫反射测试(UV-vis DRS)测定了样品的光吸收性能,DRS结果显示Zn2SiO4纳米材料的光吸收主要集中在紫外光区,与Zn2SiO4纳米棒和纳米颗粒相比,海胆形Zn2SiO4微米球的吸收峰更宽,表明其对光的利用范围要大于纳米棒和纳米颗粒.

模板剂对合成氧化锆晶体性质的影响研究

郭攀;常弈;王毅;曹建新;刘飞

2014, 43(10):  2687-2692. 

摘要 ( 7 )   PDF (1232KB) ( 31 )  

相关文章 | 计量指标

采用液相法,以ZrOC12·8H2O为锆源,NaHCO3为沉淀剂,考察了模板剂对介孔氧化锆制备的影响.采用XRD、SEM、BET和TPD等手段对合成晶体微观结构、孔结构及表面化学性质进行分析表征.结果表明,模板剂对合成氧化锆晶相组成、微观形貌、比表面积、孔径分布及表面化学性质具有较大的影响.以阴离子型SDS制得t-ZrO2,以非离子型PEG-6000制得m-ZrO2;m-ZrO2表面弱酸强度和弱酸总量大于t-ZrO2,但弱碱强度和弱碱总量小于t-ZrO2;以阴离子型SDS为模板剂,成功制备出比表面积214.76 m2/g,表面同时具有弱酸弱碱位的四方晶相介孔氧化锆.

多壁碳纳米管对电极染料敏化太阳能电池的性能研究

石海英;田均庆;郑威

2014, 43(10):  2693-2698. 

摘要 ( 8 )   PDF (1678KB) ( 29 )  

相关文章 | 计量指标

以SnO2/TiO2薄膜为光阳极,与以经酸化处理和与石墨复合的沉积在FTO导电基底的多壁碳纳米管(MWCNTs)薄膜为对电极,I-/I3-为电解液,组装成染料敏化太阳能电池.对电极通过循环伏安法(CV曲线)、电化学阻抗谱(EIS)及极化曲线法(Tafel曲线)进行电化学催化性能的表征,组装后的电池通过伏安特性曲线(J～V)进行光电性能分析,结果表明:酸化处理及与石墨复合有利于提高对电极的催化性能及电池光电性能.开路电压及短路电流密度分别可达0.53 V、4.67 mA/cm2,其中短路电流较未经过处理的MWCNTs对电极提高27.4;,同时讨论了对电极电化学性及电池光电性能增强的机制.

基于正交实验的100 mm4°偏轴SiC衬底外延均匀性研究

李赟;赵志飞;陆东赛;朱志明;李忠辉

2014, 43(10):  2699-2704. 

摘要 ( 14 )   PDF (782KB) ( 26 )  

相关文章 | 计量指标

采用行星热壁式SiC外延炉对100 mm 4°偏轴4H-SiC衬底外延工艺进行了研究.分析了氢气预刻蚀工艺对4°偏轴衬底外延材料表面形貌的影响.采用双指标正交实验,通过极差分析的方法研究了C/Si比、Cl/Si比、主氢流量、生长温度、三路气体比等工艺参数对SiC外延厚度和掺杂浓度均匀性指标影响的主次顺序,并给出了优化的外延参数.采用该工艺条件制得的无台阶聚集形貌的SiC外延片片内厚度均匀性和浓度均匀性分别是1.23;和3.32;.

葡聚糖修饰的超顺磁性氧化铁纳米粒子的制备及表征

李璇;张宝林;杨高;王军;谢松伯;盛典

2014, 43(10):  2705-2709. 

摘要 ( 7 )   PDF (1226KB) ( 33 )  

相关文章 | 计量指标

以乙酰丙酮铁为铁源,聚乙二醇为溶剂,采用高温热分解法制备了超顺磁性氧化铁纳米粒子,得到聚乙二醇修饰的超顺磁性氧化铁纳米粒子,进一步修饰葡聚糖.苯酚-浓硫酸显色法表明葡聚糖修饰在SPIONs表面,获得葡聚糖修饰的氧化铁纳米粒子.采用透射电镜、纳米粒度和Zeta电位分析仪、超导量子干涉仪和热重对产物进行检测.葡聚糖/聚乙二醇修饰的超顺磁性氧化铁纳米粒子的平均粒径为8.7±1.5 nm;水合动力学粒径33 nm,Zeta电位为13mV.葡聚糖/聚乙二醇修饰的超顺磁性氧化铁纳米粒子为超顺磁性,饱和磁化强度为21 emu/g;热重分析表明约有42wt;的葡聚糖和30wt;的PEG修饰在SPIONs表面,计算得到纯氧化铁纳米粒子的饱和磁化强度为75 emu/g.

凝胶-燃烧-熔盐法制备Ca2-xAl2SiO7∶Dyx3+白光荧光粉

陈林;刘悦;李石庚;曾蓉;刘芳;施卫国

2014, 43(10):  2710-2716. 

摘要 ( 6 )   PDF (2163KB) ( 32 )  

相关文章 | 计量指标

采用凝胶-燃烧-熔盐法合成了Ca2-xAl2SiO7∶Dyx3+(x =0.01、0.02、0.03、0.04、0.05)白光荧光粉,探讨了Dy3的掺杂量对荧光粉发光性能的影响,通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜和荧光光谱仪对样品进行了测试表征.结果表明:所得Ca1.97Al2SiO7∶Dy0.033+样品为四方钙铝黄长石结构,平均粒径在0.9～1 μm之间;该样品的激发光谱由一组尖锐的激发峰组成,对应于Dy3+的6H15/2→6P3/2(321 nm)、6H15/2→6P7/2(345 nm)、6H15/2→6P5/2(363nm)、6H15/2→4F7/2(384 nm)、6H15/2→4G11/2(425 nm)、6H15/2→4I15/2(452 nm)和6H15/2→4F9/2(470 nm)跃迁,发射光谱由位于477 nm的蓝光发射和580 nm的黄光发射组成,对应于Dy3+的49F/2→6q5/2(477 nm) 和4 F9/2→6H13/2(580nm)跃迁,其CIE1931色坐标为(x=0.3017,y =0.3011),接近于理想的白光(x=0.333,y=0.333);当Dy3+掺杂量大于0.03时出现浓度猝灭,这主要是电偶极-电偶极的相互作用引起的.

高速正交切削SiCp/Al复合材料的切屑形成及边界损伤仿真研究

黄树涛;王泽亮;焦可如;许立福;李金泉

2014, 43(10):  2717-2725. 

摘要 ( 11 )   PDF (3154KB) ( 38 )  

相关文章 | 计量指标

针对SiCp/Al复合材料颗粒增强相与基体相不同的机械力学性能,对照SiCp/Al复合材料金相照片中的SiC颗粒形状与分布状态建立仿真模型,并对SiCp/Al复合材料的颗粒和基体进行分别定义.使用ABAQUS有限元软件仿真研究了高速切削复合材料切屑的形成、工件已加工表面的缺陷特征、边界损伤的形成机理及切削用量对边界损伤程度的影响规律.结果表明:在第1变形区切削变形主体表现为沿剪切角方向Al合金基体的剪切滑移,滑移主要发生在SiC颗粒与Al合金基体的边界邻近区域;对刀刃直接作用的SiC颗粒,由于其压力较大,会发生破碎现象;SiCp/A1复合材料的切屑形态以单元状切屑和由几个单元构成的节状切屑为主;SiC颗粒的破碎和整体剥落是造成已加工表面缺陷的重要因素;负剪切角是产生边界损伤的标志;切削速度对边界缺损几何尺寸大小的影响较小,切削深度对边界缺损几何尺寸大小的影响较大;随着切削深度的增大,边界缺损长度呈直线上升趋势,边界缺损高度先显著增加后缓慢增加.

基于边缘破碎驱动裂纹推挤加工的破碎模拟实验研究

田欣利;王龙;王望龙;吴志远;唐修检

2014, 43(10):  2726-2731. 

摘要 ( 4 )   PDF (1649KB) ( 29 )  

相关文章 | 计量指标

工程陶瓷基于边缘破碎驱动裂纹软推挤加工是一项创新性的非传统接触式加工技术,可采用单晶压头挤压破碎模拟实验研究新技术的加工特征.通过对挤压破碎曲线、微观形貌观察以及有限元仿真讨论了挤压驱动裂纹失稳的机理,以及预制缺陷的应力集中效应起到的重要作用.通过正交实验探讨了加载速度、凸缘宽度、压痕位置离外边缘距离、槽深对挤压破碎力的影响规律,并采用多元回归模型实现较好的拟合.

N在Zn1-xBexO合金中热力学稳定性的第一性原理研究

濮春英;周大伟;杨兴强;张庆瑜

2014, 43(10):  2732-2737. 

摘要 ( 4 )   PDF (1253KB) ( 34 )  

相关文章 | 计量指标

采用第一性原理计算方法,通过改变Zn1-xBexO合金中Be的浓度及其掺杂位型,研究N在Zn1-xBexO合金中的形成能和受主离化能,分析了p型导电的可能性.结果表明:Be-N共掺杂时,N优先占据周围没有Be的O位置,每增加一个Be近邻掺杂原子,No的形成能增加约0.2 eV.当近邻Be原子数为2和3时,No的受主离化能比较低.Be浓度为11at;时,具有2个近邻Be原子的No的受主离化能降低至0.1 eV左右,可以认为是浅受主,Be-N共掺ZnO才可能呈p型导电.考虑No在室温条件下的受主离化率和No形成能的影响,估算出Be-N所提供的空穴载流子浓度不会高于1017 cm-3;如果计及n型背景载流子的补偿效应,Be-N共掺ZnO的p型导电率应该比较低.

多孔BiFeO3薄膜的光伏效应研究

王成艳;刘兴云;周勇;鲁池梅;杨水金;刘红日

2014, 43(10):  2738-2742. 

摘要 ( 4 )   PDF (1160KB) ( 30 )  

相关文章 | 计量指标

采用溶胶-凝胶法,在不同退火温度下在FTO/玻璃衬底上制备了多孔 BiFeO3薄膜并对薄膜的光伏特性进行了研究.结果表明,在450 ～600℃退火的薄膜,均呈高度(100)择优取向;所有薄膜均为多孔薄膜,450℃、500℃、550℃和600℃退火的薄膜的孔径大小分别为2 μm,2μm,6 μm和lμm.孔隙的出现与加入乙醇胺的量直接相关,同时能够增强对光的吸收.450℃、500℃、550℃和600℃退火的薄膜的光学带隙分别为2.31 eV,2.50 eV,2.51 eV,和2.62 eV,所有光学带隙显著低于通常报道的结果.450℃与500℃退火的BiFeO3薄膜具有较强的光电导效应,而600℃退火的BiFeO3薄膜具有较强的体光伏效应.BiFeO3薄膜中的体光伏效应来自铁电极化产生的内建电场.

不同籽晶对多晶硅晶体生长的影响

权祥;焦富强;邓敏;徐冬梅;彭景云;朱常任

2014, 43(10):  2743-2746. 

摘要 ( 9 )   PDF (1094KB) ( 58 )  

相关文章 | 计量指标

通过在坩埚底部铺设籽晶来控制形核的同步性,获得均一等大的硅晶粒,实验采用铺设硅粉、颗粒料、碎硅片三种籽晶来诱导硅晶体生长,结果表明硅粉籽晶生长硅晶体晶粒均匀性最好.采用硅粉籽晶所生产硅锭效率比碎硅片籽晶高0.3;.

SiO2改性超长羟基磷灰石晶须的制备及研究

尹研婷;颜廷亭;王端诚;李真;陈庆华

2014, 43(10):  2747-2751. 

摘要 ( 8 )   PDF (1179KB) ( 28 )  

相关文章 | 计量指标

通过水热共沉淀反应法成功制备出超长羟基磷灰石晶须,并通过溶解正硅酸乙酯与羟基磷灰石晶须烧结得到二氧化硅表面改性羟基磷灰石.通过X射线衍射仪(XRD),红外分析(FT-IR)和扫描电镜(SEM)对样品的晶相组成、形貌、晶须长度进行了表征.结果表明:所得晶须的平均长度为230 μm,SiO2球形颗粒均匀的分布在晶须表面,其直径为600 nm,二氧化硅改性羟基磷灰石晶须可显著提高义齿基托树脂的抗拉强度.

分光光度法测试掺钕钒酸钇晶体中钕离子浓度

王鸿雁;贾玉昌;王世武;赵海泉;张芳

2014, 43(10):  2752-2756. 

摘要 ( 8 )   PDF (711KB) ( 33 )  

相关文章 | 计量指标

报道了一种采用分光光度法测量钒酸钇晶体材料中钕离子掺杂浓度的方法.该法采用电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)标定掺钕钒酸钇晶体中钕离子浓度,用Lambda-950分光光度计测量晶体757 nm,720 nm处的吸光度A,根据朗伯比尔定律通过最小二乘法拟合出钕离子浓度测量公式C =0.0195 +2.477×(A757-A720)/L.该方法对产品无破坏性,适用于在线检测和产品分析,方便快捷.

NdGdCOB自倍频微片激光器——一种潜在的牙菌斑检查光源

韩学坤;国娥香;于祥升;邱港

2014, 43(10):  2757-2760. 

摘要 ( 7 )   PDF (1106KB) ( 34 )  

相关文章 | 计量指标

利用提拉法生长了高质量Nd∶ GdCOB晶体,以单片300 mW左右半导体二极管作为泵源,优化的8at;掺杂Nd∶ GdCOB晶体作为激光自倍频介质,采用简单微片式结构构建激光器,实现泵浦阈值仅为40 mW、输出功率23mW的545 nm自倍频激光.该激光器长度仅1 cm,具有重量轻、便携带和结构简单、紧凑等优势.

热丝化学气相沉积微晶硅薄膜结构及性质研究

高玉伟;周炳卿;张林睿;张龙龙

2014, 43(10):  2761-2766. 

摘要 ( 10 )   PDF (803KB) ( 25 )  

相关文章 | 计量指标

采用热丝化学气相沉积(HWCVD)技术,以钨丝作为热丝,在不同热丝温度和氢稀释度下,分别在玻璃和单晶硅片衬底上沉积微晶硅(μc-Si∶H)薄膜材料.对所制备的微晶硅薄膜材料使用XRD、傅里叶变换红外吸收光谱、透射谱等进行结构与性能的表征分析.结果表明,随着热丝温度升高,氢稀释度变大,薄膜呈现明显的(220)择优生长取向,晶粒尺寸逐渐增大,光学吸收边出现红移,光学带隙逐渐变小.通过优化沉积参数,在热丝温度为1577℃、氢稀释浓度为95.2;、衬底温度为350℃,沉积速率为0.6 nm/s和沉积气压8 Pa条件下,制备的微晶硅薄膜呈现出了(220)方向的高度择优生长取向,平均晶粒尺寸为146 nm,光学带隙约为1.5 eV,光电导率σ.为3.2×10-6Ω-1·cm-1,暗电导率σrd为8.6×10-7 Ω-1·cm-1,表明制备的材料是优质微晶硅薄膜材料.