高纯半绝缘4H-SiC单晶的生长

人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (11): 3055-3057.

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高纯半绝缘4H-SiC单晶的生长

杨昆;陈秀芳;杨祥龙;彭燕;胡小波;徐现刚

山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

出版日期:2014-11-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(61327808);国家重点基础研究发展计划(973计划)(2011CB301904);自主创新及成果转化专项(2014XGC01004);山东省科技发展计划(2012GGE27136)

Growth of High Purity Semi-Insulting 4H-SiC Single Crystals

YANG Kun;CHEN Xiu-fang;YANG Xiang-long;PENG Yan;HU Xiao-bo;XU Xian-gang

Online:2014-11-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 使用物理气相传输方法(PVT)制备了直径为3英寸、非故意深能级杂质(如:钒)掺杂的半绝缘4H-SiC晶体.使用二次离子质谱(SIMS)、拉曼光谱面扫描、非接触电阻率测试面扫描和高分辨XRD摇摆曲线对衬底的浅能级和两性深能级杂质的浓度、衬底晶型、衬底电阻率和衬底结晶质量进行了表征.结果表明,衬底全部面积电阻率大于4×109 Ω·cm,钒浓度低于探测限,这表明浅能级杂质浓度已经低至可以被本征缺陷引入深能级完全补偿范围;拉曼光谱结果表明衬底4H-SiC晶型面积比例为100;;(004)衍射面高分辨X射线摇摆曲线半宽仅25秒,表明了衬底良好的结晶质量.使用上述高纯半绝缘衬底制备的高电子迁移率器件(HEMT)具备良好的电学性质.

中图分类号:

杨昆;陈秀芳;杨祥龙;彭燕;胡小波;徐现刚. 高纯半绝缘4H-SiC单晶的生长[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(11): 3055-3057.

YANG Kun;CHEN Xiu-fang;YANG Xiang-long;PENG Yan;HU Xiao-bo;XU Xian-gang. Growth of High Purity Semi-Insulting 4H-SiC Single Crystals[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2014, 43(11): 3055-3057.

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