衬底温度对磁控共溅射制备的Zn(O,S)薄膜结构和光电性能的影响

人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (1): 38-42.

衬底温度对磁控共溅射制备的Zn(O,S)薄膜结构和光电性能的影响

彭柳军;杨雯;陈小波;自兴发;杨培志;宋肇宁

云南师范大学可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,昆明650092;云南师范大学太阳能研究所,昆明650092;美国托莱多大学物理与天文系,托莱多43606

出版日期:2015-01-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(U1037604)

Effect of Substrate Temperature on Structure and Photoelectric Properties of Zn(O, S) Thin Films Deposited by Magnetron Co-sputtering

PENG Liu-jun;YANG Wen;CHEN Xiao-bo;ZI Xing-fa;YANG Pei-zhi;SONG Zhao-ning

Online:2015-01-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用磁控共溅射沉积法,以氧化锌和硫化锌为靶材,在不同衬底温度下制备了Zn(O,S)薄膜.采用X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外-可见-近红外分光光度计、霍尔测试仪和拉曼光谱测试仪对Zn(O,S)薄膜进行了结构和光电特性研究.结果表明:Zn(O,S)薄膜具有六方纤锌矿结构,属于二模混晶;在可见-近红外波段的吸收率小于5;;其为N型半导体,电学特性随衬底温度的变化而变化;衬底温度为200℃时制备的厚度为167 nm的Zn(O,S)薄膜的载流子浓度达到8.82×1019 cm-3,迁移率为19.3 cm2/V·s,表面呈金字塔结构.

中图分类号:

O484

彭柳军;杨雯;陈小波;自兴发;杨培志;宋肇宁. 衬底温度对磁控共溅射制备的Zn(O,S)薄膜结构和光电性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(1): 38-42.

PENG Liu-jun;YANG Wen;CHEN Xiao-bo;ZI Xing-fa;YANG Pei-zhi;SONG Zhao-ning. Effect of Substrate Temperature on Structure and Photoelectric Properties of Zn(O, S) Thin Films Deposited by Magnetron Co-sputtering[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2015, 44(1): 38-42.

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