厚度对Mg-Sn共掺ZnO薄膜结构和光电性能的影响

人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (1): 95-100.

厚度对Mg-Sn共掺ZnO薄膜结构和光电性能的影响

刘细妹;胡跃辉;陈义川;胡克艳;徐斌;张志明

景德镇陶瓷学院机械电子工程学院,景德镇,333403

出版日期:2015-01-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(2010BGA01100);江西省对外合作资助项目(20132BDH80025);江西省自然科学基金(20132BAB202001,20143ACB21004);江西省主要学科学术和技术带头人培养计划项目(20123BCB22002);江西省高等学校科技落地计划(KJLD12085);江西省教育厅科技资助项目(GJJ12494,GJJ13643,GJJ13625)

Effects of Thickness on Structure and Photoelectric Properties of Mg-Sn Co-doped ZnO Thin Films

LIU Xi-mei;HU Yue-hui;CHEN Yi-chuan;HU Ke-yan;XU Bin;ZHANG Zhi-ming

Online:2015-01-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用溶胶凝胶(Sol-Gel)旋涂法在抛光石英衬底上制备不同厚度Mg-Sn共掺的ZnO薄膜.用XRD、SEM、UV-Vis、PL、FT-IR光谱仪和四探针等对薄膜的微观结构、表面形貌、室温光致发光及光电特性进行表征.薄膜结构分析显示样品均沿c轴高度择优取向,呈六角纤锌矿晶体结构,随着膜厚的增加,薄膜结晶度明显提高,薄膜晶粒尺寸逐渐增大.由SEM照片观察到,厚度的增加明显促进了薄膜表面颗粒生长的均匀性与致密性.由光致发光谱表明:厚度增加,薄膜的本征发光峰增强且均出现较强的紫外发光峰和蓝光发光峰.FT-IR结果显示780 nm厚的薄膜在高波数区域红外吸收明显比320 nm和560 nm弱.薄膜电阻率随厚度增加由1.4×10-2 Ω·cm减小至2.6×10-3Ω·cm,且薄膜透过率均保持在90;左右.

中图分类号:

O484

刘细妹;胡跃辉;陈义川;胡克艳;徐斌;张志明. 厚度对Mg-Sn共掺ZnO薄膜结构和光电性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(1): 95-100.

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