助熔剂法合成α-Al2O3片晶及其多孔陶瓷的制备及表征

人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (1): 143-148.

助熔剂法合成α-Al2O3片晶及其多孔陶瓷的制备及表征

徐国纲;赵慧玲;崔洪芝;张智慧

山东科技大学材料科学与工程学院,青岛,266590

出版日期:2015-01-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
Project Supported by the Young Scientists Fund of the National Natural Science Foundation of China(51202133,51272141);Science and Technology Achievements Transformation in Qingdao Guiding Plan(14-2-4-39-jch);Taishan Scholars Project of Shandong(ts20110828);SDUST(YC140345)

Preparation and Characterization of Alumina Porous Ceramic Based on α-Al2O3 Platelet Synthesized by Flux Method

XU Guo-gang;ZHAO Hui-ling;CUI Hong-zhi;ZHANG Zhi-hui

Online:2015-01-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 实验首先以γ-AlOOH粉体为原料,KCl-Na2SO4复合盐为熔剂,采用助熔剂法合成了α-Al2O3片晶,通过对合成片晶成型烧成,制备具有片状晶体支撑的氧化铝多孔陶瓷材料.并对α-Al2O3片晶形成过程,多孔陶瓷显气孔率、抗折强度、微观结构以及孔径分布进行了研究.研究结果表明,在KCl与Na2SO4复合盐存在情况下,可在900℃条件下合成分散性好,颗粒大小均匀的六方形α-Al2O3片晶,片晶的直径大约在10μm,厚度为0.3～0.5 μm.合成的α-Al2O3片晶具有非常好的烧结活性,在无添加烧结助剂的情况下,1600℃保温2h得到了显气孔率为41.74;,抗折强度为115.34MPa,孔径分布范围窄的氧化铝多孔陶瓷.窄的孔径分布以及优异的机械性能使其成为一种很有前途的膜支撑体和精确过滤材料.

中图分类号:

O782

徐国纲;赵慧玲;崔洪芝;张智慧. 助熔剂法合成α-Al2O3片晶及其多孔陶瓷的制备及表征[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(1): 143-148.

XU Guo-gang;ZHAO Hui-ling;CUI Hong-zhi;ZHANG Zhi-hui. Preparation and Characterization of Alumina Porous Ceramic Based on α-Al2O3 Platelet Synthesized by Flux Method[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2015, 44(1): 143-148.

[1]	胡继超;王曦;贾仁需;蒲红斌;陈治明. 偏4°4H-SiC同质外延层上新形貌三角形缺陷研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2206-2210.
[2]	石爱红;李源;艾文森. 碳化硅邻晶面外延生长机制的动力学蒙特卡罗模拟[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(10): 1787-1793.
[3]	韩博;李进;安百俊. 石墨坩埚厚度对感应加热制备太阳能级多晶硅影响的数值模拟研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(10): 1904-1910.
[4]	王健;程红娟;高彦昭. 长波红外用准相位匹配材料研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1397-1404.
[5]	倪友保;韩卫民;吴海信;毛明生;黄昌保;王振友;姜鹏飞. 大尺寸长波红外非线性晶体CdSe生长及应用[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1488-1489.
[6]	袁泽锐;窦云巍;陈莹;方攀;尹文龙;康彬. 大尺寸ZnGeP2单晶生长与大尺寸晶体器件制备[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1491-1493.
[7]	张国栋;程奎;张龙振;陶绪堂. 中红外非线性光学晶体CdSiP2的合成与生长[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1494-1498.
[8]	陈莹;袁泽锐;方攀;谢婧;张羽;尹文龙;康彬. 新型红外非线性光学晶体SrCdGeSe4生长与性质表征[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1505-1508.
[9]	李宝珠;高彦昭;王健;程红娟;陈毅;姚宝权. 高质量CdSe单晶生长及其OPO性能研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1517-1522.
[10]	姚晶晶;任国强;李腾坤;苏旭军;邱永鑫;许磊;高晓冬;徐科. 氮化镓籽晶的表面损伤处理及氨热生长研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(7): 1157-1161.
[11]	茅艳琳;左然. 行星式MOCVD反应器进口结构对AlN生长的气相反应和生长速率的影响[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(7): 1168-1175.
[12]	李一村;郝晓斌;代兵;舒国阳;赵继文;张森;刘雪冬;王伟华;刘康;曹文鑫;杨磊;朱嘉琦;韩杰才. MPCVD单晶金刚石高速率和高品质生长研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(6): 979-989.
[13]	齐红基;邵建达;吴福林;王斌;陈端阳. KDP类晶体快速生长技术研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(6): 1004-1009.
[14]	高忙忙;祁雪燕;高昂;赵旭;李瑞;苏圣尧;张方圆;郑玉鑫. 冷却速率对Al-30wt;Si合金初晶硅形貌和杂质的影响研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(6): 1088-1093.
[15]	方攀;袁泽锐;陈莹;尹文龙;康彬. 中红外激光晶体Dy:PbGa2S4的生长与器件制备[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(5): 771-773.