环境温度对单晶锗片低温抛光去除率的影响研究

人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (3): 587-592.

环境温度对单晶锗片低温抛光去除率的影响研究

赵研;左敦稳;孙玉利;王珉

南京航空航天大学机电学院,南京,210016

出版日期:2015-03-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(51375237);江苏省自然科学基金(BK2012796);中国博士后科学基金(2014M551587)

Research on the Influence of Ambient Temperature on Material Removal Rate of Germanium Wafer in Low Temperature Polishing

ZHAO Yan;ZUO Dun-wen;SUN Yu-li;WANG Min

Online:2015-03-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 在分析了单晶锗片低温抛光工艺的基础上,进行了四种不同参数的单晶锗片低温抛光实验.分析了不同温度条件下,单晶锗片去除速率的变化原因,提出了基于醚类辅助抛光液的自锐型低温抛光工艺,为冰冻固结磨料抛光单晶锗片的研究开辟了新途径.结果表明:环境温度对冰冻固结磨料抛光盘表层融化速率影响显著,10℃时即会导致融化过快;抛光区域摩擦产生的热量小于环境温度-10℃时的对流换热,会导致冰盘表面二次凝固;环境温度-10℃时加入醚类辅助抛光液可实现冰盘在低温下的自锐性.

中图分类号:

TN304.11

赵研;左敦稳;孙玉利;王珉. 环境温度对单晶锗片低温抛光去除率的影响研究[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(3): 587-592.

ZHAO Yan;ZUO Dun-wen;SUN Yu-li;WANG Min. Research on the Influence of Ambient Temperature on Material Removal Rate of Germanium Wafer in Low Temperature Polishing[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2015, 44(3): 587-592.