TSTGT蓝宝石晶体位错腐蚀形貌分析

人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (3): 627-631.

TSTGT蓝宝石晶体位错腐蚀形貌分析

王佳麒;张艳;裴广庆;周金堂;李涛;黄小卫;柳祝平

元亮科技有限公司,无锡,214037;上海元亮光电科技有限公司,上海,201801;福建鑫晶精密刚玉科技有限公司,连城,366200

出版日期:2015-03-15 发布日期:2021-01-20

Analysis of Dislocation Etched Topography for Sapphire Single Crystal Grown by TSTGT Method

WANG Jia-qi;ZHANG Yan;PEI Guang-qing;ZHOU Jin-tang;LI Tao;HUANG Xiao-wei;LIU Zhu-ping

Online:2015-03-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用化学腐蚀-金相显微镜法,利用熔融的KOH对顶部籽晶温度梯度法(TSTGT)生长的直径320 mm的蓝宝石单晶中不同部位的晶片做了位错腐蚀形貌分析.研究表明,(0001)面的位错腐蚀坑呈三角形,腐蚀晶界具有延伸性.对比不同腐蚀时间、不同腐蚀温度和不同表面粗糙度下的腐蚀效果,发现使用KOH腐蚀剂在400℃腐蚀15min时,效果最好.表面粗糙度越小,位错图像越清晰.

中图分类号:

O77+2

王佳麒;张艳;裴广庆;周金堂;李涛;黄小卫;柳祝平. TSTGT蓝宝石晶体位错腐蚀形貌分析[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(3): 627-631.

WANG Jia-qi;ZHANG Yan;PEI Guang-qing;ZHOU Jin-tang;LI Tao;HUANG Xiao-wei;LIU Zhu-ping. Analysis of Dislocation Etched Topography for Sapphire Single Crystal Grown by TSTGT Method[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2015, 44(3): 627-631.