人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (4): 939-946.
郭一欣;陈菲;任晓荣;程文娟
出版日期:
2015-04-15
发布日期:
2021-01-20
GUO Yi-xin;CHEN Fei;REN Xiao-rong;CHENG Wen-juan
Online:
2015-04-15
Published:
2021-01-20
摘要: 使用射频磁控溅射在镀Mo的玻璃基底上制备了Cu/Sn化学计量比为1.4 ~2.0的金属前驱体薄膜.经过400℃、450℃和500 ℃硫化后获得了一系列Cu-Sn-S薄膜.采用X射线衍射、X射线光电子能谱、拉曼光谱、原子力显微镜和紫外可见近红外分光光度计对样品进行了表征.结果表明:硫化温度与前驱体中Cu/Sn化学计量比对Cu-Sn-S薄膜的结构、化学组分和光学性能影响较大.当硫化温度为450℃,前驱体中Cu/Sn化学计量比为1.4∶1时,能得到近乎单一相、四方结构的Cu2SnS3薄膜,光学带隙为1.01 eV.过高的Cu/Sn化学计量比或硫化温度都会导致Cu3SnS4或Cu4SnS4的出现.
中图分类号:
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GUO Yi-xin;CHEN Fei;REN Xiao-rong;CHENG Wen-juan. Effect of Metal Precursor Ratio and Sulfurization Temperature on the Properties of Cu-Sn-S Thin Films[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2015, 44(4): 939-946.
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