衬底温度对硼掺杂ZnO薄膜微观结构及其光电特性的影响

人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (5): 1266-1270.

衬底温度对硼掺杂ZnO薄膜微观结构及其光电特性的影响

王何美;朱华;冯晓炜;况慧芸;王艳香

景德镇陶瓷学院机电学院,景德镇,333001;景德镇陶瓷学院科技艺术学院,景德镇,333001;景德镇陶瓷学院材料科学与工程学院,景德镇,333001

出版日期:2015-05-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(51102122);江西省自然科学基金(20142BAB206008);江西省教育厅科技项目(GJJ14646)

Influence of Substrate Temperature on the Microstructure and Photoelectric Properties of Boron Doped ZnO Thin Film

WANG He-mei;ZHU Hua;FENG Xiao-wei;KUANG Hui-yun;WANG Yan-xiang

Online:2015-05-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用射频磁控溅射技术,改变玻璃衬底温度制备B掺杂ZnO薄膜,薄膜的微结构及其光电性能分别用X-射线衍射仪、紫外-可见分光光度计、四探针测试仪及粗糙度测试仪进行表征.结果表明:ZnO∶B薄膜样品表面平整,具有六角纤锌矿结构并呈C轴择优取向.所有薄膜样品在420 ～ 900 nm区间内的平均透光率大于91;.随着温度的增加,电阻率先减小后增大,但晶粒尺寸一直变大.衬底温度为100℃时电阻率可低至1.14×10-3Ω·cm,所有样品禁带宽度相对于本征ZnO蓝移.

中图分类号:

O484

王何美;朱华;冯晓炜;况慧芸;王艳香. 衬底温度对硼掺杂ZnO薄膜微观结构及其光电特性的影响[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(5): 1266-1270.

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