4H-SiC的强氧化液化学机械抛光

人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (7): 1741-1747.

4H-SiC的强氧化液化学机械抛光

梁庆瑞;胡小波;陈秀芳;徐现刚;宗艳民;王希杰

山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100;山东天岳晶体材料有限公司,济南250111;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东天岳晶体材料有限公司,济南,250111

出版日期:2015-07-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
National Basic Research Program of China(2011CB301904);Natural Science Foundation of China(11134006,51321091)

Chemical Mechanical Polishing of 4H-SiC with Strong Oxidizing Slurry

LIANG Qing-rui;HU Xiao-bo;CHEN Xiu-fang;XU Xian-gang;ZONG Yan-min;WANG Xi-jie

Online:2015-07-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 研究了一种新型的化学机械抛光方法,使用以KMnO4作为氧化剂的强氧化性化学机械抛光液(SOAS)进行化学机械抛光.研究了在4H-SiC硅面和碳面的化学机械抛光过程中,SOAS溶液中KMnO4的浓度对抛光质量的影响.使用原子力显微镜(AFM)和精密电子天平,分别测试了表面粗糙度和去除率.结果表明,适量的KMnO4可以大幅度提高4H-SiC的化学机械抛光去除率,同时可提高4H-SiC衬底的表面抛光质量.

中图分类号:

TN305.2

梁庆瑞;胡小波;陈秀芳;徐现刚;宗艳民;王希杰. 4H-SiC的强氧化液化学机械抛光[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(7): 1741-1747.

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