基于负性光刻胶掩膜的湿法多晶硅制绒

人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (7): 1748-1753.

基于负性光刻胶掩膜的湿法多晶硅制绒

丁彬;程现铁;徐国庆;张宏

西安交通大学电气工程学院,电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安710049;西安交通大学苏州研究院,苏州215123

出版日期:2015-07-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
江苏省自然科学基金(BK20141215)

Texturization of Polycrystalline Silicon Wafers by Wet Etching Process Using Negative Photoresist Masks

DING Bin;CHENG Xian-tie;XU Guo-qing;ZHANG Hong

Online:2015-07-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 提出了一种用于大规模多晶硅太阳能电池生产的制绒工艺,采用负性光刻胶作为湿法刻蚀的掩膜,制备蜂巢状低反射率绒面.通过研究氢氟酸/硝酸溶液中各向同性刻蚀时腐蚀坑的形成过程,发现随着刻蚀时间的增加,在掩膜图形的开孔下逐渐形成六方分布的球面形状的腐蚀坑,腐蚀坑的深径比(深度/开孔直径)出现先上升然后下降的趋势.同理论计算值对比发现,随着刻蚀时间增加,掩膜和硅片的附着紧密性及掩膜的阻挡效应降低,酸液可能渗入了掩膜和硅片的界面,横向刻蚀速度快速上升,降低了深径比,导致实际的反射率高于理论计算值.尽管如此,本文还是成功制备了孔径15微米的蜂巢状绒面,反射率达到了22.9;.

中图分类号:

TM914.4

丁彬;程现铁;徐国庆;张宏. 基于负性光刻胶掩膜的湿法多晶硅制绒[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(7): 1748-1753.

DING Bin;CHENG Xian-tie;XU Guo-qing;ZHANG Hong. Texturization of Polycrystalline Silicon Wafers by Wet Etching Process Using Negative Photoresist Masks[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2015, 44(7): 1748-1753.

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