加高喷头MOCVD压强对生长影响的研究

人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (11): 2994-2999.

加高喷头MOCVD压强对生长影响的研究

徐龙权;唐子涵;曹盛;张建立

南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心,南昌,330047;南昌大学信息工程学院,南昌,330031

出版日期:2015-11-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家高技术研究发展计划(863计划)(2012AA041002);江西省科技厅重大科技专项(20114ABF06102)

Influence of Pressure on Epitaxial Growth in High-showerhead MOCVD Reactor

XU Long-quan;TANG Zi-han;CAO Sheng;ZHANG Jian-li

Online:2015-11-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 以低速旋转、加高喷头、垂直喷淋的MOCVD反应室为对象,运用三维数学输运模型分析与计算.在模拟过程中分析了压强的变化对高喷头反应室流场的影响,着重分析与讨论了操作压强变化与GaN薄膜的沉积一致性及平均生长速率的关系,其次探讨了实验值与模拟值对比结果,从而对薄膜的均匀性及平均生长速率进行一定的预测,最终得到以基准工艺参数为前提的最佳压强设定范围为6650～13300 Pa.模拟跟实验结果表明:减小压强有利于薄膜的均匀性,压强较大时,平均生长速率大,但压强较大时极易引起流场不稳.

中图分类号:

TB47

徐龙权;唐子涵;曹盛;张建立. 加高喷头MOCVD压强对生长影响的研究[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(11): 2994-2999.

XU Long-quan;TANG Zi-han;CAO Sheng;ZHANG Jian-li. Influence of Pressure on Epitaxial Growth in High-showerhead MOCVD Reactor[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2015, 44(11): 2994-2999.