6H-SiC硅面S钝化工艺研究

人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (11): 3000-3004.

6H-SiC硅面S钝化工艺研究

陈进;杨莺;邢青青;张力;晁苗苗;穆美珊

西安理工大学电子工程系,西安,710048

出版日期:2015-11-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(51207128,51177134);陕西省教育厅基金(2013JK1102)

Sulfur Passivation Processing on Silicon Surface of 6H-SiC

CHEN Jin;YANG Ying;XING Qing-qing;ZHANG Li;CHAO Miao-miao;MU Mei-shan

Online:2015-11-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用(NH4)2S溶液钝化SiC的Si面,借助反向I-V特性间接表征钝化效果,得到了SiC表面最佳的钝化参数:钝化温度60 ℃、钝化时间30 min、NH3·H2O浓度为2.4 mol/L、(NH4)2S浓度为0.22 mol/L.XPS测试结果表明钝化后的6H-SiC表面形成了Si-S键,反向饱和I-V特性表明S钝化降低了表面的态密度.实验结果与第一性原理计算结果相吻合.

中图分类号:

TN305.2

陈进;杨莺;邢青青;张力;晁苗苗;穆美珊. 6H-SiC硅面S钝化工艺研究[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(11): 3000-3004.

CHEN Jin;YANG Ying;XING Qing-qing;ZHANG Li;CHAO Miao-miao;MU Mei-shan. Sulfur Passivation Processing on Silicon Surface of 6H-SiC[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2015, 44(11): 3000-3004.

[1]	马睿;王建彬;周超群;童勇强;徐义亮. 腐蚀法测量研磨蓝宝石亚表面损伤的实验研究[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(12): 2216-2221.
[2]	魏也;周兵;桑胜波;邓宵;柴晶;陈泽华;张文栋. 粒子束注入单晶硅尺寸效应的机理研究[J]. 人工晶体学报, 2017, 46(6): 1064-1071.
[3]	郭钰;彭同华;刘春俊;袁文霞;蔡振立;张贺;王波. 影响化学机械抛光4H导电SiC晶片表面质量的关键参数研究[J]. 人工晶体学报, 2017, 46(5): 759-765.
[4]	徐龙华;许崇海;吴光永;肖光春;衣明东. 超声波化学镀法制备Ni-B包覆CaF2粉体[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(1): 252-258.
[5]	梁庆瑞;胡小波;陈秀芳;徐现刚;宗艳民;王希杰. 4H-SiC的强氧化液化学机械抛光[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(7): 1741-1747.
[6]	梁庆瑞;宗艳民;王希杰;陈秀芳;徐现刚;胡小波. 金刚石微粉对SiC机械抛光的影响研究[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(2): 295-300.
[7]	王金普;白林山;储向峰. 硬盘微晶玻璃基板化学机械抛光研究[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(1): 216-220.
[8]	李峰;杨莺;李碧珊;陈进;邢青青;侯志斌. Si(100)表面S钝化效果与稳定性研究[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(7): 1657-1661.
[9]	熊伟;储向峰;董永平;毕磊;叶明富;孙文起. 不同磨料对蓝宝石晶片化学机械抛光的影响研究[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(6): 1064-1069.
[10]	张维连;牛新环;吕海涛;张恩怀;孙军生. 掺锗CZSi中与锗有关的红外光谱特性[J]. 人工晶体学报, 2004, 33(5): 792-796.