SiC衬底上外延石墨烯的氢插入及表征

人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (12): 3384-3388.

SiC衬底上外延石墨烯的氢插入及表征

郁万成;陈秀芳;孙丽;胡小波;徐现刚;赵显

山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

出版日期:2015-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(513230013);山东大学自然科学专项(2014QY005)

Hydrogen Intercalation and Characterization of Epitaxial Graphene Grown on SiC Substrates

YU Wan-cheng;CHEN Xiu-fang;SUN Li;HU Xiao-bo;XU Xian-gang;ZHAO Xian

Online:2015-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 使用热解法在4H-SiC硅面制备出单层石墨烯,而后将石墨烯置于氢气气氛下退火,使氢插入到缓冲层与SiC衬底之间.利用X射线光电子能谱对氢插入后的化学键变化进行了表征.样品的碳1s能谱中碳元素由SiC衬底、石墨烯及缓冲层共同构成.对不同氢气退火温度下各组分的强度进行采集与分析,并分别与相应的拉曼光谱数据进行对比.结果表明,低于800℃退火温度会造成氢插入的不完全,但当退火温度超过1200℃后,插入的氢将被释放.为获得较优的氢插入效果,需要选择1000℃左右的氢气退火温度.

中图分类号:

郁万成;陈秀芳;孙丽;胡小波;徐现刚;赵显. SiC衬底上外延石墨烯的氢插入及表征[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(12): 3384-3388.

YU Wan-cheng;CHEN Xiu-fang;SUN Li;HU Xiao-bo;XU Xian-gang;ZHAO Xian. Hydrogen Intercalation and Characterization of Epitaxial Graphene Grown on SiC Substrates[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2015, 44(12): 3384-3388.

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