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人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (12): 3582-3587.

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单质靶溅射制备CZTS薄膜及太阳电池

蒋志;李志山;杨敏;刘思佳;刘涛;郝瑞亭;王书荣   

  1. 云南师范大学太阳能研究所,教育部可再生能源材料先进技术与制备重点实验室,云南省农村能源重点工程实验室,昆明650500
  • 出版日期:2015-12-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家科技合作重点项目(2011DFA62380);国家自然科学基金(61176127,61167003)

Fabrication of CZTS Thin Film and Solar Cells by Element Targets

JIANG Zhi;LI Zhi-shan;YANG Min;LIU Si-jia;LIU Tao;HAO Rui-ting;WANG Shu-rong   

  • Online:2015-12-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用单质靶磁控溅射制备Cu2ZnSnS4 (CZTS)薄膜,研究了薄膜的元素组分、升温速率、硫化温度对薄膜表面平整性以及晶粒尺寸的影响.通过SEM与AFM表征薄膜的表面形貌与表面粗糙度,用EDS检测薄膜的元素组分.所制备的样品的Cu/(Zn+ Sn)、Zn/Sn处于最优范围.通过XRD及Raman检测薄膜的结晶情况以及薄膜中的二次相,经上述测试分析判定CZTS薄膜品质良好.最终制备出以CZTS为吸收层的薄膜太阳电池,并用Ⅰ~V特性检验了CZTS电池性能参数,得到效率为0.83;的CZTS薄膜太阳电池,并通过改进硫化退火工艺将效率提高至1.58;.

关键词: CZTS薄膜;磁控溅射;硫化;转换效率

中图分类号: