加合反应对MOCVD生长GaN化学反应路径的影响

人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (12): 3687-3691.

加合反应对MOCVD生长GaN化学反应路径的影响

何晓崐;左然

江苏科技大学苏州理工学院,张家港,215600;江苏大学能源与动力工程学院,镇江,212013

出版日期:2015-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(6117609)

Effect of Adduct Reactions on Chemical Reaction Path of GaN MOCVD Growth

HE Xiao-kun;ZUO Ran

Online:2015-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 针对分隔进口垂直高速转盘式(RDR)MOCVD反应器生长GaN的气相化学反应路径进行数值模拟研究.分别考虑TMG与一个NH3的加合反应(模型1)和TMG: NH3与第二个NH3的加合反应(模型2)两种情况,通过对比两种情况下衬底表面附近主要反应前体的浓度大小,判断GaN生长的主导反应路径.通过分析模拟结果发现:只考虑TMG与一个NH3的加合反应时,GaN生长主要遵循TMG热解路径;在考虑TMG: NH3与第二个NH3的加合反应时,GaN生长主要遵循加合路径.由此可见,TMG: NH3与第二个NH3的反应对于MOCVD生长GaN的化学反应路径的选择具有很大的影响.

中图分类号:

何晓崐;左然. 加合反应对MOCVD生长GaN化学反应路径的影响[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(12): 3687-3691.

HE Xiao-kun;ZUO Ran. Effect of Adduct Reactions on Chemical Reaction Path of GaN MOCVD Growth[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2015, 44(12): 3687-3691.

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