MOCVD生长的GaN基LED的应力分析

人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (12): 3811-3815.

MOCVD生长的GaN基LED的应力分析

张恒;曲爽;王成新;胡小波;徐现刚

山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东浪潮华光光电子股份有限公司,济南,250100;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100;山东浪潮华光光电子股份有限公司,济南250100

发布日期:2021-01-20
基金资助:
Natural Science Foundation of China under Grant(11134006);Shandong University Natural Science Special(2014QY005);863 Program(2015AA033302)

Strain Analysis of Light-emitting Diodes based on GaN Structure Grown by MOCVD

ZHANG Heng;QU Shuang;WANG Cheng-xin;HU Xiao-bo;XU Xian-gang

Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 使用金属有机化学气相沉积法在c轴蓝宝石衬底上制作了GaN基LED.研究了外延层厚度和n型层的生长速率对整个外延弯曲度、翘曲度及应力的影响.光致发光(PL)光谱、FM100及拉曼(Raman)用于表征样品的特性.结果表明通过减薄外延层的厚度和降低n型层的生长速率,弯曲度、翘曲度及应力均得到有效的降低.与此同时,外延片的波长均匀性得到了进一步的提高.

中图分类号:

张恒;曲爽;王成新;胡小波;徐现刚. MOCVD生长的GaN基LED的应力分析[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(12): 3811-3815.

ZHANG Heng;QU Shuang;WANG Cheng-xin;HU Xiao-bo;XU Xian-gang. Strain Analysis of Light-emitting Diodes based on GaN Structure Grown by MOCVD[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2015, 44(12): 3811-3815.

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