硅晶体生长速率与过冷度关系的分子动力学模拟研究

人工晶体学报 ›› 2016, Vol. 45 ›› Issue (1): 28-34.

硅晶体生长速率与过冷度关系的分子动力学模拟研究

周耐根;张弛;刘博;李克;周浪

南昌大学材料科学与工程学院/光伏研究院,南昌,330031

出版日期:2016-01-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金项目(51361022,51561022,51264032);江西省自然科学基金项目(20151BAB206001)

A Molecular Dynamics Simulation Study about the Relationship between Crystal Growth Rate and Undercooling of Silicon

ZHOU Nai-gen;ZHANG Chi;LIU Bo;LI Ke;ZHOU Lang

Online:2016-01-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 基于Tersoff势函数描述硅原子间的相互作用,运用分子动力学方法模拟研究了不同过冷度条件下硅晶体凝固生长速率.结果发现,在一定过冷度范围内,硅晶体的生长速率随过冷度的增大而呈先快速增大后缓慢减小的趋势,并最终趋于不生长.同时,运用Wilson-Frenkel模型从理论上对硅晶体生长速率与过冷度关系进行了预测,分子动力学模拟结果与Wilson-Frenkel模型预测结果基本吻合,表明了硅晶体沿[100]方向的生长是一种扩散型生长.

中图分类号:

O781

周耐根;张弛;刘博;李克;周浪. 硅晶体生长速率与过冷度关系的分子动力学模拟研究[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(1): 28-34.

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