加磁场对GZO薄膜结构及光电性能的影响

人工晶体学报 ›› 2016, Vol. 45 ›› Issue (1): 53-57.

加磁场对GZO薄膜结构及光电性能的影响

张有为;周细应;周涛;聂志云;答建成;杨涛

上海工程技术大学材料工程学院,上海,201620

出版日期:2016-01-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
上海工程技术大学研究生科研创新项目(14KY0512)

Effect of External Magnetic Field on the Structure and Photoelectric Properties of Ga-doped ZnO Thin Films

ZHANG You-wei;ZHOU Xi-ying;ZHOU Tao;NIE Zhi-yun;DA Jian-cheng;YANG Tao

Online:2016-01-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用射频磁控溅射法在玻璃基底上制备了Ga掺杂ZnO (GZO)薄膜,在传统磁控溅射系统中引入外加磁场,探究了磁场强度变化对GZO薄膜晶体结构和光电性能的影响.结果表明:所制得的GZO薄膜结构均为六角纤锌结构且在[002]方向沿C轴择优取向;外加磁场强度对薄膜的光电性能具有较大影响,在可见光范围内,薄膜的平均透光率超过93;,并出现了Moss-Burstein效应;薄膜的电学性能得到提升,其电阻率从4.96×10-3 Ω·cm降至3.17×10-4Ω·cm,霍尔迁移率从7.36cm2 ·V-1 ·S-1增至9.53 cm2·V-1·S-1.

中图分类号:

TN304.2

张有为;周细应;周涛;聂志云;答建成;杨涛. 加磁场对GZO薄膜结构及光电性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(1): 53-57.

ZHANG You-wei;ZHOU Xi-ying;ZHOU Tao;NIE Zhi-yun;DA Jian-cheng;YANG Tao. Effect of External Magnetic Field on the Structure and Photoelectric Properties of Ga-doped ZnO Thin Films[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2016, 45(1): 53-57.

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