CdTe和CdZnTe电子结构及成键机理的第一性原理研究

人工晶体学报 ›› 2016, Vol. 45 ›› Issue (1): 224-228.

CdTe和CdZnTe电子结构及成键机理的第一性原理研究

曾冬梅;孟捷;慕银银;刘伟光;吴本泽;庄光程

北京石油化工学院材料科学与工程学院,北京,102617;北京化工大学材料科学与工程学院,北京,100029;北京理工大学光电学院,北京,100081

出版日期:2016-01-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
北京石油化工学院优秀青年教师和管理骨干培育计划项目(BIPT-BPOYTMB-2014);国家自然科学基金(51401025)

First-principle Study on Electronic Structure and Bonding Mechanism of CdTe and CdZnTe

ZENG Dong-Mei;MENG Jie;MU Yin-yin;LIU Wei-guang;WU Ben-ze;ZHUANG Guang-cheng

Online:2016-01-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用基于密度泛函理论的CASTEP程序软件包,计算了CdTe和CdZnTe的能带结构和态密度,研究对比了CdTe 和CdZnTe的分子内成键机制.结果表明,在CdZnTe中,Cd eg和Te 5s杂化形成较低的价带,Zn t2g和Te 5pz杂化形成的π键等构成中间价带,Zn 4s和Te 5pz杂化形成的σ键等构成导带.Cd 5s和Te 5s不再杂化,导带底向高能级方向移动.

中图分类号:

TN304.2

曾冬梅;孟捷;慕银银;刘伟光;吴本泽;庄光程. CdTe和CdZnTe电子结构及成键机理的第一性原理研究[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(1): 224-228.

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