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人工晶体学报 ›› 2016, Vol. 45 ›› Issue (1): 279-284.

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掺杂Rh离子SrTiO3晶体缺陷形成能和电子结构的研究

严非男;杨晨星;陈俊   

  1. 上海理工大学理学院,上海,200093
  • 出版日期:2016-01-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    沪江基金研究基地专项资助(B14004)

Studies on the Formation Energies and Electronic Structures of Rh Doped SrTiO3

YAN Fei-nan;YANG Chen-xing;CHEN Jun   

  • Online:2016-01-15 Published:2021-01-20

摘要: 使用CRYSTAL-09软件包模拟计算了完整SrTiO3晶体的电子结构以及Rh离子掺杂SrTiO3晶体的缺陷形成能和电子结构.结果表明Rh离子在晶体中将优先占据Sr格位;Rh掺杂SrTiO3晶体在禁带中出现了一个4d态杂质能级,导致禁带宽度减小,可见光区的光催化活性提高;解释了Rh掺杂SrTiO3晶体具有较高H2产量的原因机理.

关键词: Rh掺杂;SrTiO3晶体;缺陷形成能;电子结构

中图分类号: