摘要： 在熔体法生长ZnGeP2单晶体的过程中,如何解决熔体与坩埚的粘连问题是一个研究关键.本文研究了石英坩埚的镀碳工艺,采用化学气相沉积法成功在坩埚内壁镀上结合牢固且均匀的碳膜.采用垂直布里奇曼法,并结合适时补温技术,在内部镀碳的双层坩埚中成功生长出φ20 mm× 50 mm外观完整,无裂纹的ZnGeP2单晶体.经XRD,TEM,FTIR分析结果表明:生长的ZnGeP2晶体缺陷少,结构完整,红外透过率高,是质量较高的单晶体.
中图分类号:
赵欣;李梦;朱世富;吴小娟. 镀碳石英坩埚生长ZnGeP2单晶体[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(2): 356-360.
ZHAO Xin;Li Meng;ZHU Shi-fu;WU Xiao-juan. Growth of ZnGeP2 Single Crystal in Double Crucible Coated Carbon Films[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2016, 45(2): 356-360.
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