La掺杂TiO2薄膜的制备及其光电流研究

人工晶体学报 ›› 2016, Vol. 45 ›› Issue (2): 503-508.

La掺杂TiO2薄膜的制备及其光电流研究

朱晓东;冯威;周家荣;张雨生;雷旭;曾强风

成都大学机械工程学院,成都,610106;中国十九冶集团有限公司,成都,611730

出版日期:2016-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
四川省科技厅应用基础项目(2014JY0119);成都?笱Ｇ嗄昊鹣钅?2013XJZ19)

Study on Preparation and Photocurrent of La-doped TiO2 Thin Films

ZHU Xiao-dong;FENG Wei;ZHOU Jia-rong;ZHANG Yu-sheng;LEI Xu;ZENG Qiang-feng

Online:2016-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用溶胶凝胶-浸渍提拉法在ITO导电玻璃表面制备了纯TiO2薄膜和La掺杂TiO2薄膜,对其进行350℃、450℃、550℃保温2h热处理.利用XRD、SEM、EDS、XPS对样品结构、形貌、成分进行表征,利用电化学工作站对薄膜进行光电流测试,研究了La掺杂以及不同热处理温度对TiO2薄膜结构及光电流的影响.结果表明:La掺杂有细化TiO2晶粒和抑制锐钛矿相向金红石相转变的作用.随热处理温度提高,纯TiO2薄膜与La掺杂TiO2薄膜光电流密度均先增大后减小,450℃热处理后纯Ti02薄膜光电流密度为180 μA·cm-2,此温度下La掺杂TiO2薄膜光电流密度为650 μA·cm-2,是纯TiO2薄膜的3.6倍.

中图分类号:

TM23

朱晓东;冯威;周家荣;张雨生;雷旭;曾强风. La掺杂TiO2薄膜的制备及其光电流研究[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(2): 503-508.

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