Cs2NaGdBr6∶Ce单晶生长及闪烁性能研究

人工晶体学报 ›› 2016, Vol. 45 ›› Issue (4): 1115-1119.

Cs2NaGdBr6∶Ce单晶生长及闪烁性能研究

王映光;魏钦华;秦来顺;史宏声

中国计量学院材料科学与工程学院,杭州,310018

出版日期:2016-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(11575170)

Study on Growth and Scintillation Properties of Cs2NaGdBr6∶Ce Single Crystal

WANG Ying-guang;WEI Qin-hua;QIN Lai-shun;SHI Hong-sheng

Online:2016-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： Cs2NaGdBr6∶ Ce(CNGB∶ Ce)是新近发现的性能优异的闪烁晶体,本文用Bridgman法成功制备出尺寸达φ25×25 mm3的CNGB∶Ce单晶,并测试了CNGB∶Ce晶体的相关闪烁性能.荧光光谱和X射线激发发射光谱测试结果表明CNGB∶Ce晶体主要有两个发射峰,分别位于383 nm和418 nm附近,分别对应于Ce3+的5 d→4f12F5/2和5d→4f12F7/2跃迁发射.γ射线能谱测试表明CNGB∶Ce晶体的光输出约为LaBr3∶Ce晶体的2/3,在662 keV处的能量分辨率为6.2;,衰减时间为76 ns左右,这些特点使得CNGB∶Ce晶体有望成为实用化的新型闪烁晶体.

中图分类号:

王映光;魏钦华;秦来顺;史宏声. Cs2NaGdBr6∶Ce单晶生长及闪烁性能研究[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(4): 1115-1119.

WANG Ying-guang;WEI Qin-hua;QIN Lai-shun;SHI Hong-sheng. Study on Growth and Scintillation Properties of Cs2NaGdBr6∶Ce Single Crystal[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2016, 45(4): 1115-1119.

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