掺Sn对定向凝固多晶硅位错及少子寿命的影响

人工晶体学报 ›› 2016, Vol. 45 ›› Issue (6): 1458-1464.

掺Sn对定向凝固多晶硅位错及少子寿命的影响

何秋湘;李京伟;孙继飞;白枭龙;熊震;陈健

中国科学院合肥物质科学研究院应用技术研究所中国科学院新型薄膜太阳电池重点实验室,合肥,230088;常州天合光能有限公司光伏科学与技术国家重点实验室,常州,213031

出版日期:2016-06-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(51404231,51474201);安徽省自然科学基金(1508085QE81);中国博士后科学基金(2014M561846);中国科学院“百人计划”项目

Effect of Sn Doping on Dislocation and Minority Carrier Lifetime of Directional Solidified mc-Si

HE Qiu-xiang;LI Jing-wei;SUN Ji-fei;BAI Xiao-long;XIONG Zhen;CHEN Jian

Online:2016-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 通过微合金化获取高性能多晶硅,研究了不同Sn掺入量对定向凝固多晶硅位错及少子寿命的影响.将高纯Sn掺入到精炼冶金级硅(UMG-Si)中,定向凝固多晶硅.研究发现,硅锭位错密度沿轴向分布为中间低,底部和顶部高.在晶体硅中掺入Sn后,不影响硅的电学性能,但明显减少硅锭的位错密度.当掺入Sn含量为20 ppmw、50 ppmw和100 ppmw时,硅锭平均少子寿命由未掺Sn硅锭的0.81μs分别增加至1.22 μs、1.47 μs和1.31μs.掺Sn可减少位错密度和增加少子寿命,归因于替代位的Sn原子引入晶格应力,Sn易捕获空位V形成Sn-V对,抑制间隙原子形核.

中图分类号:

TM914.4+1

何秋湘;李京伟;孙继飞;白枭龙;熊震;陈健. 掺Sn对定向凝固多晶硅位错及少子寿命的影响[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(6): 1458-1464.

HE Qiu-xiang;LI Jing-wei;SUN Ji-fei;BAI Xiao-long;XIONG Zhen;CHEN Jian. Effect of Sn Doping on Dislocation and Minority Carrier Lifetime of Directional Solidified mc-Si[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2016, 45(6): 1458-1464.

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