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人工晶体学报 ›› 2016, Vol. 45 ›› Issue (8): 2156-2159.

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镓掺杂对二氧化钛薄膜光吸收性能的影响

邓泉荣;李义奇;陈恋;王升高;王戈明   

  1. 武汉工程大学材料科学与工程学院,湖北省等离子体化学与新材料重点实验室,武汉430074
  • 出版日期:2016-08-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(51442003,11504277,51072140,51272178);湖北省教育厅中青年人才项目(Q20151502);湖北省科技厅青年基金(2015CFB229)

Effect of Ga Doping on Optical Absorption Property of TiO2 Thin Films

DENG Quan-rong;LI Yi-qi;CHEN Lian;WANG Sheng-gao;WANG Ge-ming   

  • Online:2016-08-15 Published:2021-01-20

摘要: 通过向TiO2粉体中加入质量分数为1;~15;的Ga2O3粉末,制备了Ga掺杂的TiO2陶瓷靶,并采用脉冲激光沉积法(PLD)用陶瓷靶制备出TiO2薄膜,将薄膜于800~1000℃下退火.对薄膜结构和光学性质的研究表明1000℃退火条件下浓度为1; Ga2O3掺杂能有效将金红石相TiO2的禁带宽度减小至2.62 eV,使其吸收边红移动至470 nm.

关键词: TiO2薄膜;脉冲激光沉积;Ga掺杂;可见光吸收

中图分类号: