摘要: 通过向TiO2粉体中加入质量分数为1;~15;的Ga2O3粉末,制备了Ga掺杂的TiO2陶瓷靶,并采用脉冲激光沉积法(PLD)用陶瓷靶制备出TiO2薄膜,将薄膜于800~1000℃下退火.对薄膜结构和光学性质的研究表明1000℃退火条件下浓度为1; Ga2O3掺杂能有效将金红石相TiO2的禁带宽度减小至2.62 eV,使其吸收边红移动至470 nm.
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DENG Quan-rong;LI Yi-qi;CHEN Lian;WANG Sheng-gao;WANG Ge-ming. Effect of Ga Doping on Optical Absorption Property of TiO2 Thin Films[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2016, 45(8): 2156-2159.