不同镉源制备铜锌锡硫电池缓冲层的研究

人工晶体学报 ›› 2016, Vol. 45 ›› Issue (9): 2341-2346.

不同镉源制备铜锌锡硫电池缓冲层的研究

陆熠磊;王书荣;李志山;蒋志;杨敏;刘思佳

云南师范大学太阳能研究所及教育部可再生能源材料先进技术与制备重点实验室,昆明,650500

出版日期:2016-09-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
西南地区可再生能源研究与开发协同创新中心(05300205020516009);国家自然科学基金(61167003)

Buffer Layer of Cu2ZnSnS4 Solar Cells Prepared by Different Cadmium Sources

LU Yi-lei;WANG Shu-rong;LI Zhi-shan;JIANG Zhi;YANG Min;LIU Si-jia

Online:2016-09-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 目前制备CZTS薄膜太阳电池的缓冲层绝大多数采用硫酸镉作为镉源.本文将主要介绍用醋酸镉((Ch3COO)2Cd)、氯化镉(CdCl2)和硝酸镉(Cd(NO3)2)和硫酸镉(CdSO4)四种不同的镉源制备硫化镉薄膜.通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外可见分光光度计对硫化镉薄膜的结构、表面形貌和光学性能进行分析研究.分析结果表明以硝酸镉为镉源制备的硫化镉薄膜最适合作为缓冲层使用.将不同镉源制备的硫化镉薄膜作为CZTS薄膜电池的缓冲层,制备出的电池效率分别为:1.83;((Ch3COO)2Cd)、2.89;(CdCl2)、3.4;(Cd(NO3)2)、3.19;(CdSO4).

中图分类号:

陆熠磊;王书荣;李志山;蒋志;杨敏;刘思佳. 不同镉源制备铜锌锡硫电池缓冲层的研究[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(9): 2341-2346.

LU Yi-lei;WANG Shu-rong;LI Zhi-shan;JIANG Zhi;YANG Min;LIU Si-jia. Buffer Layer of Cu2ZnSnS4 Solar Cells Prepared by Different Cadmium Sources[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2016, 45(9): 2341-2346.

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