摘要： 电化学C-V法是当前测量化合物半导体载流子浓度纵向分布的非常重要的方法.本文采用电化学C-V法研究了MOCVD生长的掺硅GaAs多层薄膜的载流子浓度的面分布和纵向分布,并对测试结果进行分析.研究表明电化学C-V法测得的载流子浓度数据可以为研究掺硅GaAs半导体材料载流子浓度工艺优化和改进提供重要指导依据.
中图分类号:
徐继平;程凤伶. 电化学C-V法研究掺硅GaAs材料载流子浓度的分布[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(9): 2347-2351.
XU Ji-ping;CHENG Feng-ling. Study on Carrier Concentration Distribution in Silicon-doped GaAs Materials Using Electrochemical C-V Technique[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2016, 45(9): 2347-2351.
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