摘要： 本文采用四阶龙格-库塔法对地面分离结晶生长CdZnTe晶体过程中气液界面形状及熔体-坩埚气缝宽度进行了模拟,讨论了αe+θc<180°和αe+θc>180°时影响气液界面形状及气缝宽度的控制因素.采用线性回归方法对模拟结果进行了分析,得到了地面条件下分离结晶稳定生长的影响因素和控制条件.即:只有满足熔体冷-热端气压调节与结晶速率成线性变化,才能维持稳定的分离结晶.
中图分类号:
李震;张全壮. 地面条件下分离结晶生长CdZnTe晶体的稳定性控制[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(1): 28-33.
LI Zhen;ZHANG Quan-zhuang. Stability Control in Detached Solidification for CdZnTe Growth on the Ground[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2019, 48(1): 28-33.
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