人工晶体学报

王欢;陈雪梅

2019, 48(1): 1-7.

摘要 ( 21 )

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利用AgNO3和NaCl反应生成的AgCl颗粒作为晶种合成纳米银线.详细研究了纳米银线在溶液中的生长过程,探讨了AgCl晶种与银源AgNO3物质的量的比和反应时间对纳米银线形貌的影响.通过SEM、TEM、XRD、紫外可见光光谱等测试方法,对纳米银线的生长过程和不同条件下制备的纳米银线的微观形貌和晶体结构进行表征.实验表明,纳米银线是在AgCl颗粒表面上定向生长,AgCl与AgNO3物质的量的比和反应时间影响纳米银线的长度和直径大小.当AgCl与AgNO3的物质的量比为1:5,反应时间4 min时,制备的纳米银线平均直径52 nm,长径比超过了1000.

β-Ga2O3体单晶X射线光电子能谱分析

程红娟;张胜男;练小正;金雷;徐永宽

2019, 48(1): 8-12.

摘要 ( 15 )

PDF (979KB) ( 19 )

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通过对导模法制备的非故意掺杂、Si掺杂β-Ga2 O3晶体和Si掺杂后退火处理的β-Ga2 O3晶体进行了X射线光电子能谱分析(XPS),对比分析不同样品的Ga3d、Ga2p、O1s特征峰位和峰强度变化,并结合文献报道中β-Ga2O3薄膜及单晶材料的报道结果,进一步确认β-Ga2 O3体单晶特征峰峰值.同时,通过对各峰强度的变化进行对比分析,对次峰产生的原因进行推测,获得Si掺杂及退火对晶体表面及晶体内部个特征峰的变化规律.

双局域共振Helmholtz声子晶体带隙研究

陈鑫;姚宏;赵静波;张帅;贺子厚

2019, 48(1): 13-17.

摘要 ( 10 )

PDF (984KB) ( 19 )

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设计了一种双局域共振原理的Helmholtz型声子晶体结构,该结构采用U字型嵌套设计,分为内外两个腔,摆脱了内腔空气对带隙上限的影响,使得低频带隙上限得以大大提高.在分析低频带隙形成机理和影响因素时,将弹性杆-弹簧模型引入理论计算,使得简化模型计算精度得以提高.研究表明:该结构具有良好的低频带隙特性,其最低带隙范围为86.9～445.9 Hz.结构低频带隙主要受晶格常数、壁厚、细管宽度和长度的影响.在保持其它参数不变的情况下,带隙上限随晶格常数、壁厚和细管长度的增加而降低,随细管宽度的增加而增加;带隙下限随晶格常数、细管长度的增加而降低,随细管宽度、壁厚的增大而增大.该研究为低频噪声控制提供了一定的理论支持,拓宽了声子晶体的设计思路.

真空中脉冲激光烧蚀制备银纳米晶粒在水平衬底上的分布特性

邓泽超;王旭;刘建东;孟旭东;丁学成;褚立志;王英龙

2019, 48(1): 18-23.

摘要 ( 5 )

PDF (1537KB) ( 13 )

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在室温、真空环境中,通过XeCl准分子脉冲激光烧蚀银靶,烧蚀产物沉积在水平放置的Si(111)衬底上.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)仪、探针式表面轮廓(PTSP)仪和选区电子衍射(SAED)对沉积所得的样品进行表征.结果表明,样品主要由具有不同尺寸的银纳米晶粒组成;随着衬底与靶面水平距离的增加,样品厚度和晶粒尺寸逐渐减小;样品的(111)和(200)晶面的XRD特征谱线强度,随着衬底位置的改变而变化.在增加激光能量密度、衬底与烧蚀焦点垂直距离的情况下,晶粒尺寸及样品XRD特征谱线变化规律并未发生明显变化.结合银纳米晶粒传输特性和沉积样品沿不同晶面生长所需表面能的差异,对实验结果进行了分析.

提拉法生长YAG:Er单晶及其发光性能研究

郭勇文;黄玲玉;周建邦;权纪亮;黄晋强;易国斌

2019, 48(1): 24-27.

摘要 ( 32 )

PDF (937KB) ( 25 )

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采用提拉法制备了高浓度、大尺寸的YAG:Er单晶,其XRD结果为纯相,说明高浓度Er3+离子掺杂并未对基质晶体结构产生影响.利用吸收光谱确定晶体最强吸收峰位置位于380 nm和523 nm,并在此吸收峰激发下得到YAG:Er晶体发射光谱,其最强发射峰位于1528 nm,最后通过寿命曲线对其荧光衰减性质进行探究.

地面条件下分离结晶生长CdZnTe晶体的稳定性控制

李震;张全壮

2019, 48(1): 28-33.

摘要 ( 12 )

PDF (917KB) ( 18 )

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本文采用四阶龙格-库塔法对地面分离结晶生长CdZnTe晶体过程中气液界面形状及熔体-坩埚气缝宽度进行了模拟,讨论了αe+θc<180°和αe+θc>180°时影响气液界面形状及气缝宽度的控制因素.采用线性回归方法对模拟结果进行了分析,得到了地面条件下分离结晶稳定生长的影响因素和控制条件.即:只有满足熔体冷-热端气压调节与结晶速率成线性变化,才能维持稳定的分离结晶.

8～12μm长波红外非线性晶体研究进展

王振友;吴海信

2019, 48(1): 34-46.

摘要 ( 31 )

PDF (2374KB) ( 75 )

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中长波红外3～5μm、8～12μm波段激光在红外对抗、环境监测、医疗诊断等诸多领域均有重要应用.通过非线性频率变换技术是获得中长波红外激光的主要方式,红外非线性晶体是其中的核心部件.目前,3～5μm中波红外非线性晶体已基本满足激光的应用需求.随着近年来激光波长向长波红外的拓展,以及中/长波红外多波段融合技术的发展,迫切需要性能优异的长波红外非线性晶体.论文主要对目前已知8～12μm波段的长波红外非线性晶体进行梳理,并分别从晶体性能、制备技术以及激光应用等方面综述它们的研究进展,对比分析它们在长波红外波段的应用潜质以及存在的技术瓶颈,指出长波红外非线性晶体的重点研究方向.

基于关键化学组分设计制备发泡陶瓷

马子钧;李群艳;吕锋;孙诗兵;田英良;史璐玉

2019, 48(1): 47-53.

摘要 ( 7 )

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文章探究了基于关键化学组分设计制备发泡陶瓷过程中的制备条件,特别是关键化学组分SiC、Na2 O、Al2 O3的含量对发泡陶瓷性能的影响.利用化学组分设计制备的发泡陶瓷具有良好的隔热性能,其导热系数达0.09 W/(m·K),最可几孔径为2.8 mm,大孔之间的孔壁上分布有平均孔径为2μm的微孔,这种独特的大孔-微孔的分级泡孔结构是其导热性能良好的关键原因.

单晶金刚石磨粒机械磨损声发射关联维特征研究

吴海勇

2019, 48(1): 54-59.

摘要 ( 10 )

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单晶金刚石磨粒的机械磨损是其磨粒加工过程中磨损的主要形式之一.利用单颗单晶金刚石磨粒划擦Ta12W,跟踪检测了磨粒划擦过程中磨损体积、磨损率和磨损形貌等机械磨损的变化特征,并监测分析了其机械磨损声发射信号特征参数和时域信号特征.利用G-P算法对金刚石磨粒机械磨损声发射信号进行相空间重构,利用自相关函数法确定了相空间的时间延迟,计算出相空间的双对数图,从而得到金刚石磨粒不同磨损阶段的关联维数.研究结果表明:单晶金刚石磨粒划擦Ta12 W的机械磨损声发射信号具有混沌变化特性,随着嵌入维数的增加,其关联维数的变化趋于平稳,关联维数变化幅值与其磨损率基本呈正效应关系.通过基于G-P算法计算分析磨粒划擦过程中声发射关联维特征,进一步揭示单晶金刚石磨粒机械磨损特性.

Tb掺杂CaMnO3氧化物材料热电输运性能的研究

张飞鹏;杜玲枝;李辉;张坤书;田中敏;杨新宇;刘志勇;张久兴

2019, 48(1): 60-63.

摘要 ( 3 )

PDF (1096KB) ( 12 )

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采用溶胶-凝胶法结合陶瓷烧结工艺制备了Tb掺杂CaMnO3基氧化物热电材料,系统研究了Tb掺杂材料物相组成、微观组织和和电输运性能.结果表明,Tb掺杂试样均为单一物相的CaMnO3晶体材料.随着Tb掺杂量的增加,试样晶粒逐渐细化.所得CaMnO3基材料内部晶粒互连,试样结构较为致密.所有Tb掺杂试样电阻率随温度升高而降低,呈明显的半导体传输特性,其中Tb掺杂量为0.14的试样电阻率最低.Tb掺杂试样Seebeck系数绝对值随掺杂量的增加而降低,这是由于Tb掺杂引入的电子型载流子造成的.所有试样功率因子均随温度升高而逐渐增加,并且所有Tb掺杂试样的功率因子均大于未掺杂试样.其中Tb掺杂量为0.08的块体试样功率因子在测试温度最高点973 K时达到最大值2.0×10-4 W·m-1·K-2,远高于未掺杂试样,通过稀土元素Tb掺杂可以优化CaMnO3基过渡金属氧化物材料的电性能.

高品质光学级单面生长石英晶体的生长技术研究

刘盛浦;孙玉坤;郭兴忠;吴兰

2019, 48(1): 64-69.

摘要 ( 11 )

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采用水热温差法,研发了一种高品质光学级单面生长石英晶体技术,分析了光学级石英晶体单面生长原理和关键技术,并对所制备的光学级单面生长石英晶体的性能进行了测试与表征.研究结果表明:采用单面生长技术能极大地减少石英晶体内部缺陷,制备出的石英晶体具有极高的品质,其中包裹体指标、条纹指标达和光学均匀性分别达到国家标准GB/T7895-2008中的Ia级、1级和A级,达到了目前国家标准中的顶尖水平.

LaBaCo2O5+δ-Co3O4复合阴极的制备及电化学性能研究

李瑞锋;王文娟;李纯;鲁自鼎;刘诚;黄康

2019, 48(1): 70-74.

摘要 ( 10 )

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以La2O3、BaCO3和Co2 O3为原料,通过球磨、干燥、过筛得到混合粉末,在不同温度分别煅烧2小时,通过晶体结构的表征和分析得出固相反应的最佳温度.将最佳煅烧温度得到的LaBaCo2 O5+δ粉末和Co3 O4粉末通过机械混合法制备成中温固体氧化物燃料电池的LaBaCo2 O5+δ-Co3 O4复合阴极粉末,并对两者之间的化学相容性进行表征.单电池的极化电阻及输出功率分别通过电化学工作站进行测试.实验结果表明:LaBaCo2 O5+δ固相反应的最佳温度约为1200℃,LaBaCo2 O5+δ和Co3 O4之间具有良好的化学相容性.与LaBaCo2 O5+δ阴极相比,LaBaCo2 O5+δ-Co3 O4复合阴极组成的单电池具有较低的欧姆电阻和极化电阻以及较高的输出功率密度,表现出更好的电化学性能.

以过期废药氨茶碱为碳源的氮掺杂碳负极的电化学储锂性能

侯宏英;代志鹏;刘显茜;姚远;余成义;李栋栋

2019, 48(1): 75-80.

摘要 ( 6 )

PDF (1352KB) ( 11 )

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通过高温热解碳化将过期废药氨茶碱以氮掺杂碳的形式进行回收;利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能量色散光谱仪(EDX)及X射线光电子能谱(XPS)研究了其微观形貌与组成,并进一步利用恒流充/放电、循环伏安法(CV)及交流阻抗法(AC)测试其电化学储锂性能.令人满意的是,伴随着过期药品氨茶碱的碳化,其中的氮元素以原位掺杂的形式保留在碳材料中,所制备的碳电极在25 mA·g-1循环200圈时的可逆比容量仍能达到520.9 mAh·g-1;尤其是在大电流密度1 A·g-1循环200圈和2 A·g-1循环500圈时的可逆比容量仍分别稳定在203.5 mAh·g-1与84.8 mAh·g-1,表现出了良好的可逆电化学储锂性能.

改性羟基磷灰石制备及除氟特性研究

胡家朋;刘瑞来;林皓;赵瑨云;饶瑞晔;吴代赦

2019, 48(1): 81-89.

摘要 ( 4 )

PDF (1375KB) ( 11 )

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为了提高羟基磷灰石(HAP)的除氟容量,利用羟基铝(Al-OH)改性HAP制备羟基铝-羟基磷灰石复合材料(Al-OH-HAP),通过红外光谱(FTIR)、扫描电镜(SEM)、X-射线粉末衍射(XRD)和N2吸附-脱附曲线等方法对样品进行表征分析,结合吸附热力学和动力学模型拟合,探讨Al-OH-HAP对水溶液氟离子的吸附特性.实验结果表明:Al-OH改性后Al3+和OH-进入HAP晶格中,且改性后HAP的衍射峰更尖锐,结晶度增大.Al-OH改性后HAP的比表面积分别从106.75 m2/g增加到220.45 m2/g,且大部分孔为介孔结构.吸附拟合模型表明Al-OH-HAP对氟离子的吸附更加遵循Langmuir模型,说明Al-OH-HAP对F-的吸附更趋近于单层吸附,吸附过程中化学吸附占主导地位.热力学参数吸附吉布斯自由能(ΔGo)小于0、焓变(ΔHo)和熵变(ΔSo)大于0,说明Al-OH-HAP对F-的吸附是一个自发吸热的熵增过程,Al-OH-HAP对F-的吸附更符合拟二级反应动力学过程.Al-OH-HAP可以成为一种有潜力的饮用水除氟剂.

ZnO/B2O3对R2O-RO-B2O3-Al2O3-SiO2系统低温分相釉乳浊效果的影响

苗立锋;包镇红;吴道福;江伟辉

2019, 48(1): 90-94.

摘要 ( 4 )

PDF (1335KB) ( 12 )

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以K2O-CaO-Al2O3-SiO2系统为基础,通过添加氧化锌和硼酸钙,制备出了1120℃烧成的高白度无锆低硼低温分相乳浊釉,并借助TEM、XRD、FTIR和白度仪等测试手段研究了ZnO/B2 O3对乳浊釉分相结构和白度的影响,探讨了其乳浊机理.结果表明:随着ZnO/B2 O3的增大,釉面白度呈先增后降趋势,当ZnO/B2 O3为4.04时达最大值为80.5;.随着ZnO/B2 O3的增大,分相粒子尺寸逐渐减小,数量逐渐增多.ZnO/B2 O3过高,分相粒子尺寸太小,远小于可见光波长,不利于乳浊度的提高.

柠檬酸对半水硫酸钙晶须形貌稳定性影响

羊道和;杨玉荣;易美桂

2019, 48(1): 95-100.

摘要 ( 8 )

PDF (3575KB) ( 14 )

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介绍了柠檬酸对半水硫酸钙晶须的形貌稳定性的影响及其作用机制,重点考察了柠檬酸添加量及稳定化温度对晶须形貌稳定性的影响.采用XRD、SEM和红外光谱表征晶须性质.结果表明,在30～100℃范围内,随着稳定化温度的增加,半水硫酸钙晶须形貌稳定时间增长.其中在100℃,柠檬酸添加量为0.5 wt;,半水硫酸钙形晶须形貌稳定时间可达4.0 h.由于柠檬酸的-COO-与半水硫酸钙晶须表面Ca2+键和成-COO-Ca-结构,柠檬酸以化学吸附方式吸附于晶须表面,使得晶须稳定性提高.

磷钨酸掺杂高比表面积g-C3N4催化剂的制备及其光催化性能

张杰;蔡天凤;李会鹏;赵华

2019, 48(1): 101-109.

摘要 ( 4 )

PDF (1887KB) ( 12 )

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以三聚氰胺、磷钨酸(HPW)为原料SBA-15为模板剂,成功制备了HPW掺杂高比表面积g-C3 N4.采用傅里叶红外变换(FTIR)光谱、X射线衍射(XRD)光谱、X光电子能谱(XPS)、氮气吸附脱附(BET)、扫描电镜(SEM)、紫外可见(UV-Vis)漫反射光谱、荧光(PL)光谱进行表征.结果表明,比表面积的增加以及HPW的掺杂均能够提高催化剂的光催化性能,降低带隙能,降低光生电子-空穴的复合几率.以罗丹明B(RhB)为考察对象,对催化剂在氙灯照射下的催化活性以及稳定性进行考察.结果表明,HPW掺杂的高比表面积g-C3 N4催化活性最高,反应速率常数为0.0269 min-1,是块状g-C3 N4的13倍,且循环使用4次后的光降解活性几乎不变.以叔丁醇、对苯醌、乙二胺四乙酸二钠为自由基(·OH)、自由基(·O2-)和空穴(h+VB)的捕获剂,研究了光催化反应机理.

MI3(M=Bi,Sb,As)弹性和电子性质的第一性原理研究

孙霄霄

2019, 48(1): 110-116.

摘要 ( 5 )

PDF (1343KB) ( 15 )

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采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势计算方法,对比研究了菱方结构MI3(M=Bi,Sb,As)的弹性和电子性质.结果表明:SbI3的生成焓最低,较BiI3、AsI3更易生成.这三种材料都体现了弹性各向异性特征.SbI3是偏延性材料,BiI3和AsI3是脆性材料.高压下AsI3更容易被压缩.德拜温度的大小关系依次为SbI3>BiI3>AsI3.MI3(M=Bi,Sb,As)都是间接带隙半导体,电子的局域程度较强.在费米能级附近,I-5p轨道电子和金属M-s轨道电子发生杂化,形成共价键.MI3(M=Bi,Sb,As)中的化学键是共价键和离子键的混合.

N掺杂LaAlO3电子结构的第一性原理研究

李强;谭兴毅

2019, 48(1): 117-121.

摘要 ( 17 )

PDF (1134KB) ( 13 )

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采用第一性原理计算N掺杂LaAlO3的稳定性、电子结构和磁学性质.计算结果表明:N掺杂LaAlO3的结构稳定;而且从生成焓数值看,替位掺杂比间隙掺杂结构更稳定.形成能计算结果表明,还原环境比氧化环境更适合N掺杂,并且在还原环境下,NH3作为N源生成替位掺杂的LaAlO3-x Nx的形成能最小,即最容易形成替位掺杂.N替代LaAlO3中的O原子和位于LaAlO3晶胞间隙均产生铁磁性,其磁性均源于掺杂N-2p电子与体系价带顶O-2p电子间的p-p耦合作用.

碳分法制备超细片状氧化铝粉体

孙敬会;伊家飞;卿培林;徐敬尧

2019, 48(1): 122-126.

摘要 ( 6 )

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在苛性比为1.7,苛性碱浓度为100 g/L的铝酸钠溶液中,添加氟化铝和四氯化钛,通入二氧化碳和空气的混合气体(1:1)析出氢氧化铝前驱体,经高温煅烧,得到表面光滑,边缘规整的超细六角片状氧化铝.重点考察混合气体通气速率,反应终点pH值,煅烧温度对氧化铝形貌的影响.XRD衍射及SEM分析结果表明:在混合气体200 L/h的通气速率,终点反应pH=12,煅烧温度为1200℃时,溶液中添加5;氟化铝和5;四氯化钛的情况下,可得到平均粒径1.24μm,径厚比11.4,表面光滑,边缘规则的超细六角片状氧化铝.

C-X(X=Y,Zr)共掺杂SnO2电子结构的第一性原理研究

伏春平;黄浩;孙凌涛;夏继宏;程正富

2019, 48(1): 127-130.

摘要 ( 6 )

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基于第一性原理方法研究了C单掺杂SnO2和C-X(X=Y,Zr)共掺杂SnO2的能带结构、态密度以及分电荷分布.结果表明:C掺杂、C-Y、C-Zr共掺杂SnO2的带隙值分别为1.109 eV、1.86 eV、1.214 eV,较超胞结构的带隙值降低,有利于电子的跃迁;C-Y共掺杂SnO2的导带底部有3条杂质能级分离出来,C-Zr共掺杂SnO2的能带价带顶部能级中有3条能级分离出来,其中1条能级贯穿费米能级;C-Y,C-Zr共掺杂SnO2的态密度中在低能区会产生1个态密度峰值,部分态密度的峰值由Y、Zr的d轨道贡献;C-Y、C-Zr共掺杂SnO2会打破SnO2电子平衡状态,致使电荷的重新分布.

钼酸铋基光催化材料的研究进展

马敏敏;仝攀瑞;高占尧;吉亮亮

2019, 48(1): 131-136.

摘要 ( 10 )

PDF (1214KB) ( 16 )

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近年来,钼酸铋基光催化剂以其优良的特性拓宽了光催化领域的研究,催化剂的制备与应用一直是研究者的关注热点.重点介绍了Bi2 MoO6的晶体结构、制备方法、形貌及其光催化性能,对比了常见制备方法的优缺点,综述了国内外研究者在改性钼酸铋基光催化材料方面所做的工作,得出在可见光响应下具有高催化活性和高稳定性的钼酸铋基光催化材料将是下一步研究的主要方向.

生物活性玻璃的制备与应用研究进展

吴民行;谢玉芬;翟智皓;英启炜;廖建国

2019, 48(1): 137-143.

摘要 ( 5 )

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生物玻璃可通过刺激成骨细胞的增殖以及诱导骨组织再生,更好地修复人体的受损骨组织;生物玻璃还可对药物进行吸附,用于药物载体.本文综述了近年来用于人体组织修复生物活性玻璃的制备及性能等方面研究进展,并对其发展进行了展望.

基于PolySim电子级多晶硅还原炉三维数值模拟

李有斌;张胜涛;何银凤;梁世民;韩金豆;付昊;赵丽丽

2019, 48(1): 144-148.

摘要 ( 20 )

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利用PolySim软件建立了国内电子级多晶硅9对棒现役还原炉的三维模型,对还原炉内部的流动、传热进行了数值模拟,得到还原炉内部流场、温场以及硅棒表面温度的分布情况,指出硅棒桥接附近气体流速较小、气体温度及硅棒表面温度过高是该区域沉积不均匀的主要原因.和实际生产结果对比表明,模拟计算数据的误差不超过5;.

6-氨基-2-吡啶甲酸配体的Cd(II)配合物的水热合成、晶体结构、光致发光性能及其电子结构理论计算的研究

赵旺;郑庆华;平兆艳;周薇薇

2019, 48(1): 149-154.

摘要 ( 5 )

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通过碘化镉与6-氨基-2-吡啶甲酸的水热反应,合成获得了一个单核结构的配位化合物[HCdI(apa)2](Hapa=6-氨基-2-吡啶甲酸).对标题配合物进行了X-射线单晶衍射测试,获得其晶体结构.标题配合物是一例单核结构的配位化合物,其晶体结构中的单核基本单元通过吡啶环间的π-π堆积连接组成一维Z字链.Z字链间通过氢键相互键连,构成了标题配位化合物[HCdI(apa)2]的三维超分子结构.标题配合物的光致发光性能测试表明,配位化合物[HCdI(apa)2]在室温下发射出蓝色荧光,其色坐标的值为(0.17,0.07).标题配合物的电子结构理论计算结果显示[HCdI(apa)2]的光致发光机理归属为配体内部的π-π﹡电子跃迁.

SiC晶片不同晶面的CMP抛光效果对比研究

陈国美;倪自丰;钱善华;刘远祥;杜春宽;周凌;徐伊岑;赵永武

2019, 48(1): 155-159.

摘要 ( 57 )

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化学机械抛光(CMP)已被认为是目前实现SiC晶片全局平坦化和超光滑无损伤纳米级表面的最有效加工方法之一,然而SiC晶片的化学氧化反应受其表面极性的强烈影响,从而导致其不同晶面表面原子在CMP过程中的可氧化性以及氧化产物去除的难易程度存在差异.采用K2 S2 O8作为氧化剂、Al2 O3纳米颗粒作为磨粒,对比研究了6H-SiC晶片Si面和C面的CMP抛光效果,并分析不同晶面对其CMP抛光效果的影响机理.结果表明,6H-SiC晶片Si面和C面的CMP抛光效果存在显著差异.6H-SiC晶片Si面的材料去除率在pH=6时达到最大值349 nm/h;相比之下,C面的材料去除率在pH=2时达到最大值1184 nm/h,抛光后的Si面和C面均比较光滑.氧化剂进攻C面上C原子的位阻明显小于其进攻Si面上的C原子的位阻,从而导致C面比Si面具有更高的反应活性和氧化速度.此外,C面上的氧化物比Si面上的氧化物更容易被去除,因此C面比Si面易于获得更高的材料去除率.

五核簇{Dy2Ni3}配合物的合成、晶体结构及磁学性质

龚亮

2019, 48(1): 160-166.

摘要 ( 53 )

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相关文章 | 计量指标

利用2-[(2-羟基-3-甲氧基)苄亚甲基氨基]苯甲酸(H2L)作为配体,以Dy(NO3)3·6H2O和Ni(CH3COO)2·4H2O为金属盐,通过水热法,合成了一种新的异金属五核簇[Dy2Ni3(C15H11NO4)2(NO3)4(Ac)2(OH)2(CH3CN)4(CH3OH)2]配合物1.单晶X射线衍射结果表明,配合物1属于三斜晶系,P-1空间群,晶胞参数a=1.0978(6)nm,b=1.2057(7)nm,c=1.2144(7)nm,α=103.571(7)°,β=90.062(7)°,γ=103.439(8)°,V=1.5171(14)nm3,Z=1.通过元素分析等方法对配合物1进行结构表征,并对其进行磁性测试.直流磁化率(DC)研究结果表明,配合物1具有微弱的铁磁性质,而交流磁化率(AC)并没有出现依赖于外场频率变化极值的现象表明该配合物在零场下不具有较为明显的单分子磁行为.

WO3基电致变色器件的制备及性能研究

唐秀凤;郑国祥;陈国新;莫钊鹏;胡晓燕;廖慧珍;罗坚义

2019, 48(1): 167-172.

摘要 ( 39 )

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本文采用真空热蒸发法,在ITO基底上制备WO3薄膜,之后在空气气氛中对其进行了400℃,1 h的退火处理.SEM测试结果表明,退火后的WO3薄膜变得更为致密平整.将退火后的WO3薄膜,及通过溶胶凝胶法制得的TiO2-CeO2对电极薄膜和PC-PEO-LiClO4凝胶态电解质封装得到电致变色器件,以探索该退火处理对WO3薄膜电致变色性能的影响.结果表明,该WO3基电致变色器件在632.8 nm处的光学调制幅度达56.8;,记忆时间超过24 h,且具有良好的循环稳定性.本研究表明WO3薄膜的后期退火处理对制备高性能WO3基电致变色器件具有重要的意义.

钠掺杂对Bi1.5ZnNb1.5O7陶瓷结构和介电弛豫的影响

张东;梅艳;贾曦;刘虹波;卢秉伟

2019, 48(1): 173-177.

摘要 ( 25 )

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采用二次固相反应法制备Bi1.5-xNaxZnNb1.5O7(BNZN,0

槽式湿法碱抛光技术在PERC太阳电池中的工艺研究

庞恒强

2019, 48(1): 178-184.

摘要 ( 47 )

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高效晶体硅太阳电池是光伏领域的热门研究之一,提高晶体硅太阳电池的转换效率是光伏研究者的重要研究方向.降低电池背面反射率是提高晶体硅电池转换效率的有效方法之一,实验采用激光掺杂制作选择性发射极,并利用槽式湿法碱抛光技术,去除发射极表面的重掺杂区,降低载流子在电池发射极表面区域的复合,提高载流子的有效寿命达到抛光效果,并最终提升电池转换效率.结果表明:硅片经过抛光处理后,减少了作为复合中心的悬挂键,降低了表面复合速率.发现了高反射率增强了光的反射,反射回电池内部的光被再吸收,提高了光的利用率.这是造成短路电流提升的主要原因.表面掺杂浓度的降低以及表面重掺杂区尺寸的减小将有效抑制载流子在发射极区域的俄歇复合,提高载流子的有效寿命.

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