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人工晶体学报 ›› 2019, Vol. 48 ›› Issue (3): 369-373.

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K2 LaCl5:Ce晶体的生长及闪烁性能研究

章政;张建裕;杜飞;李倩倩;潘尚可;潘建国   

  1. 宁波大学材料科学与化学工程学院,浙江省光电探测材料及器件重点实验室,宁波 315211
  • 出版日期:2019-03-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(61775108, 61875096)

Growth and Scintillation Properties of K2 LaCl5:Ce Crystal

ZHANG Zheng;ZHANG Jian-yu;DU Fei;LI Qian-qian;PAN Shang-ke;PAN Jian-guo   

  • Online:2019-03-15 Published:2021-01-20

摘要: 利用坩埚下降法生长出复合稀土卤化物K2 LaCl5:Ce单晶,该晶体为正交结构,晶胞参数为a=1.2745 nm,b=0.8868 nm,c=0.8018 nm,熔点为625℃.通过切割研磨抛光后得到φ12 mm×5 mm的透明圆柱体晶体.将该晶体进行X射线激发发射光谱、光致发光光谱、脉冲高度谱、γ射线衰减能谱、透过率等测试.在一定波段的紫外光以及X射线的激发下,K2 LaCl5:Ce晶体在355 nm与375 nm波长左右有宽的发射峰,分别对应于Ce3+的5d1→2 F5/2和5d1→2 F7/2能级跃迁.在紫外和γ射线的激发下,K2 LaCl5:Ce晶体的衰减时间分别为33 ns和23 ns,晶体的能量分辨率为5.9;.

关键词: K2LaCl5:Ce;坩埚下降法;能级跃迁;闪烁性能

中图分类号: