Cl掺杂γ-CuI晶体生长及闪烁性能的研究

人工晶体学报 ›› 2019, Vol. 48 ›› Issue (8): 1405-1411.

Cl掺杂γ-CuI晶体生长及闪烁性能的研究

张蕾;刘小林;郝书童;顾牡;李乾利;黄世明;张娟楠

同济大学物理科学与工程学院,上海市特殊人工微结构材料与技术重点实验室,上海 200092;上海大学材料科学与工程学院,上海,200444

出版日期:2019-08-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(11775160,11375129,11675121)

Study on Growth and Scintillation Properties of γ-CuI Crystals by Cl Doping

ZHANG Lei;LIU Xiao-lin;HAO Shu-tong;GU Mu;LI Qian-li;HUANG Shi-ming;ZHANG Juan-nan

Online:2019-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用溶剂蒸发技术,辅以氩保护气氛,成功获得厘米级氯掺杂γ-CuI透明单晶.研究了氯掺杂对晶体生长溶液的稳定性、晶体结构及发光性能的影响.通过引入氩气氛,掺氯生长液及晶体的氧化问题得到了极大改善.X射线激发发射光谱表明,γ-CuI:Cl晶体的超快近带边发射得到显著增强,光输出约为PbWO4晶体的89;,深能级发射强度也受到极大抑制.并且快成分的衰减时间达到亚纳秒量级.实验结果均表明γ-CuI:Cl单晶具有较好的结晶性和光学性能,有望应用于超高辐射检测和超快计数率成像领域.

中图分类号:

O782

张蕾;刘小林;郝书童;顾牡;李乾利;黄世明;张娟楠. Cl掺杂γ-CuI晶体生长及闪烁性能的研究[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(8): 1405-1411.

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