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人工晶体学报 ›› 2019, Vol. 48 ›› Issue (8): 1487-1491.

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CsPbI3复合TiO2纳米管阵列的制备及表征

周淑慧;刘世凯;董柯军;李云有;董浩永;樊志杰;闫长菲   

  1. 河南工业大学材料科学与工程学院,郑州,450001
  • 出版日期:2019-08-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    河南省科技厅自然科学项目(172102210227);河南工业大学2018年度"科教融合"项目(26210133)

Preparation and Characterization of CsPbI3 Composite TiO2 Nanotube Arrays

ZHOU Shu-hui;LIU Shi-kai;DONG Ke-jun;LI Yun-you;DONG Hao-yong;FAN Zhi-jie;YAN Chang-fei   

  • Online:2019-08-15 Published:2021-01-20

摘要: 为提高二氧化钛纳米管阵列(TiO2 NTAs)的光电化学性能,对其进行半导体复合改性处理.采用阳极氧化法制备得到TiO2 NTAs,热注入法制备得到全无机钙钛矿CsPbI3,浸渍法实现CsPbI3与TiO2 NTAs的复合,制备得到不同浸渍次数的CsPbI3/TiO2 NTAs.通过一系列光电性能测试表明,经CsPbI3复合改性处理后,TiO2 NTAs的光电化学性能有明显的提高,且经4次浸渍得到的CsPbI3/TiO2 NTAs光电性能最佳,其饱和光电流密度为0.92 mA/cm2,约为TiO2 NTAs的2.97倍,且对应的光转换率最高约为0.55;.除此之外,其瞬态光电流密度最大,约为0.69 mA/cm2,并表现出最佳的光响应特性.

关键词: TiO2纳米管阵列;半导体复合;全无机钙钛矿;光电化学性能

中图分类号: