GaN体单晶的氨热生长及应力调控

人工晶体学报 ›› 2019, Vol. 48 ›› Issue (9): 1599-1603.

GaN体单晶的氨热生长及应力调控

燕子翔;李腾坤;苏旭军;高晓冬;任国强;徐科

中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院,合肥230026;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州215000;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州,215000

出版日期:2019-09-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(61574162,61604169)

Ammonothermal Growth and Stress Control of Bulk GaN Single Crystals

YAN Zi-xiang;LI Teng-kun;SU Xu-jun;GAO Xiao-dong;REN Guo-qiang;XU Ke

Online:2019-09-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用氨热法在碱性条件下生长了GaN体单晶,SEM照片显示晶体表面有大量裂纹.用拉曼光谱测量GaN晶体的E2 (high)声子拉曼峰,结果表明晶体内部应力波动较大.通过减小温度梯度、籽晶优选及降温程序优化后,得到了无裂纹的氮化镓晶体,(002)和(102)的X射线摇摆曲线FWHM分别为48 arcsec和54 arcsec,显微拉曼光谱表明经过工艺优化后的晶体应力显著降低,应力的来源主要为生长过程中杂质的引入.

中图分类号:

O782

燕子翔;李腾坤;苏旭军;高晓冬;任国强;徐科. GaN体单晶的氨热生长及应力调控[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(9): 1599-1603.

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