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人工晶体学报 ›› 2019, Vol. 48 ›› Issue (9): 1604-1607.

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物理气相传输法生长1英寸AlN单晶及其表征分析

贺广东;王琦琨;雷丹;龚建超;黄嘉丽;付丹扬;吴亮   

  1. 上海大学材料科学与工程学院,省部共建高品质特殊钢冶金与制备国家重点实验室,上海市钢铁冶金新技术开发应用重点实验室,上海200044
  • 出版日期:2019-09-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(U1560202,51401116);上海市科委基金(13DZ1108200,13521101102)

Characterization of 1 inch AlN Single Crystal Wafers Grown by PVT Method

HE Guang-dong;WANG Qi-kun;LEI Dan;GONG Jian-chao;HUANG Jia-li;FU Dan-yang;WU Liang   

  • Online:2019-09-15 Published:2021-01-20

摘要: 本文采用物理气相传输法(PVT)及同质外延工艺,在自发生长的6 mm×7 mm AlN籽晶片上,通过4次迭代,成功生长出高质量1英寸AlN单晶锭.将生长出的单晶锭经过切片、研磨和抛光工艺加工成1英寸低表面粗糙度的单晶片,并采用拉曼光谱仪、扫描电子显微镜、高分辨率X射线衍射仪、分光光度计对籽晶片与外延晶片进行结晶质量、位错密度以及紫外透光率等性能表征.结果 表明:外延晶片的拉曼E2(high)半高宽为2.86 cm-1,(002)面XRD摇摆曲线半高宽为241 arcsec,说明晶片具有很高的结晶质量;经过同质外延4次迭代后的晶片较初始籽晶片相比质量有所下降,说明生长过程中由于非平衡生长存在缺陷的增殖;外延晶片具有极其优异的紫外透光率,深紫外265~280 nm波段下的吸收系数低至19~21.5 cm-1.

关键词: 氮化铝;物理气相传输;同质外延;紫外透光率

中图分类号: