新型红外非线性光学晶体BaGa2GeSe6的生长与器件制备

人工晶体学报 ›› 2020, Vol. 49 ›› Issue (2): 193-194.

新型红外非线性光学晶体BaGa₂GeSe₆的生长与器件制备

方攀;袁泽锐;陈莹;尹文龙;姚吉勇;康彬

中国工程物理研究院化工材料研究所,绵阳,621900;中国工程物理研究院化工材料研究所,绵阳 621900;中国工程物理研究院高能激光科学与技术重点实验室,绵阳 621900;中国科学院理化技术研究所人工晶体研发中心,北京,100190

出版日期:2020-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
军科委创新特区项目(193-A22-101-07-01);国家自然科学基金(51472251)

Growth and Device Fabrication of New Infrared Nonlinear Optical Crystal BaGa₂GeSe₆

FANG Pan;YUAN Zerui;CHEN Ying;YIN Wenlong;YAO Jiyong;KANG Bin

Online:2020-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 钡镓锗硒(BaGa₂GeSe₆,BGGSe)晶体是由中国科学家发明的一种性能优异的新型红外非线性光学材料.目前国内未见到关于该晶体的大尺寸制备报道.本研究采用自制的双温区管式炉成功合成出BGGSe多晶,单次合成量达到400 g;采用坩埚下降法生长出大尺寸高质量BGGSe单晶,尺寸为φ30 mm×90 mm,为国内首次;通过定向、切割和抛光等处理工艺,成功制备出BGGSe晶体器件,为该晶体下一步的应用研究打下了坚实基础.

关键词: 红外非线性光学晶体, BaGa₂GeSe₆单晶, 坩埚下降法, 晶体生长

中图分类号:

O782+9

方攀, 袁泽锐, 陈莹, 尹文龙, 姚吉勇, 康彬. 新型红外非线性光学晶体BaGa₂GeSe₆的生长与器件制备[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(2): 193-194.

FANG Pan, YUAN Zerui, CHEN Ying, YIN Wenlong, YAO Jiyong, KANG Bin. Growth and Device Fabrication of New Infrared Nonlinear Optical Crystal BaGa₂GeSe₆[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2020, 49(2): 193-194.

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新型红外非线性光学晶体BaGa₂GeSe₆的生长与器件制备

Growth and Device Fabrication of New Infrared Nonlinear Optical Crystal BaGa₂GeSe₆

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