C、N、F掺杂对VO2电子结构影响的研究

人工晶体学报 ›› 2020, Vol. 49 ›› Issue (2): 239-245.

C、N、F掺杂对VO₂电子结构影响的研究

万金玉;刘怡飞;李雪娇

泉州医学高等专科学校,泉州,362000;福建医科大学附属第二医院,泉州,362000;中国科学院上海应用物理研究所,上海,201800

出版日期:2020-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
福建省自然科学基金计划(2019J01474);泉州市科技计划(2018N121S)

Effect of C, N and F Doping on Electronic Structure of VO₂

WAN Jinyu;LIU Yifei;LI Xuejiao

Online:2020-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 二氧化钒(VO₂)是一种热至变色材料,在临界温度340 K有金属-半导体相变.第一性原理计算结果发现:C、N、F元素以1.56;、3.13;、4.69;的原子浓度掺杂M1相VO₂的带隙Eg1降低到0.349～0.612 eV,其中氮元素以4.69;的浓度掺杂VO₂的带隙Eg1最小(0.349 eV).在C、N、F掺杂M1相VO₂体系中,3.13;的N掺杂可以有效降低相变温度,并且对可见光透过率影响不大,所以3.13;的N原子掺杂VO₂可以在实际中应用.

中图分类号:

O562

万金玉, 刘怡飞, 李雪娇. C、N、F掺杂对VO₂电子结构影响的研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(2): 239-245.

WAN Jinyu, LIU Yifei, LI Xuejiao. Effect of C, N and F Doping on Electronic Structure of VO₂[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2020, 49(2): 239-245.

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C、N、F掺杂对VO₂电子结构影响的研究

Effect of C, N and F Doping on Electronic Structure of VO₂

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