摘要: 在Si/SiO2衬底上使用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)制备器件介电层的修饰层,改善介电层界面质量并诱导有源层生长,从而提高有源层的结晶程度.通过真空蒸镀法生长并五苯/红荧烯双层结构有源层,制备有机薄膜晶体管(OTFT),并研究器件性能随红荧烯层厚度变化的情况.测试结果表明,修饰后的器件阈值电压为-3.55 V,电流开关比大于105,迁移率达到0.0558 cm2/V·s,亚阈值摆幅为1.95 V/dec,器件总体性能得到改善.
中图分类号:
杨青海;张自童;陈达贵;陈雄. 介电层修饰并五苯/红荧烯双有源有机薄膜晶体管的制备与性能研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(2): 246-251.
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